Name: IXTA120P065T
Brand: IXYS
SKU: 238-IXTA120P065T-ND
Price: 310.2 THB
Availability: InStock

P-ช่องสัญญาณ 65 V 120A (Tc) 298W (Tc) ติดบนพื้นผิว TO-263AA

ภาพที่ปรากฏเป็นเพียงภาพตัวอย่างเท่านั้น ควรขอข้อมูลจำเพาะที่แน่นอนจากเอกสารข้อมูลผลิตภัณฑ์

IXTA120P065T
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	238-IXTA120P065T-ND
ผู้ผลิต	IXYS
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	IXTA120P065T
คำอธิบาย	MOSFET P-CH 65V 120A TO263
ระยะเวลาจัดส่งมาตรฐานของผู้ผลิต	31 สัปดาห์
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	P-ช่องสัญญาณ 65 V 120A (Tc) 298W (Tc) ติดบนพื้นผิว TO-263AA
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล
โมเดล EDA/CAD	IXTA120P065T รุ่น

คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

กรองผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกัน

แสดงแอตทริบิวต์ที่ว่างเปล่า

หมวดหมู่ ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET เดี่ยว, MOSFET	Vgs (th) (สูงสุด) @ Id 4V @ 250µA
Mfr IXYS	เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs 185 nC @ 10 V
ชุด TrenchP™	Vgs (สูงสุด) ±15V
บรรจุภัณฑ์ ท่อ	ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds 13200 pF @ 25 V
สถานะผลิตภัณฑ์ ทำงาน	กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) 298W (Tc)
ประเภท FET P-ช่องสัญญาณ	อุณหภูมิในการทำงาน -55°C ~ 150°C (TJ)
เทคโนโลยี MOSFET (ออกไซด์โลหะ)	ประเภทการติดตั้ง ติดบนพื้นผิว
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss) 65 V	บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์ TO-263AA
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C 120A (Tc)	บรรจุภัณฑ์ / เคส TO-263-3, D2PAK (2 ตัวนำ + แท็บ), TO-263AB
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด) 10V	หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน IXTA120
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs 10mOhm @ 500mA, 10V