N-Channel, โหมดการลดการนำ 1700 V 1A (Tc) 290W (Tc) ติดบนพื้นผิว TO-263HV
ภาพที่ปรากฏเป็นเพียงภาพตัวอย่างเท่านั้น ควรขอข้อมูลจำเพาะที่แน่นอนจากเอกสารข้อมูลผลิตภัณฑ์

IXTA1N170DHV

หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey
238-IXTA1N170DHV-ND
ผู้ผลิต
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต
IXTA1N170DHV
คำอธิบาย
MOSFET N-CH 1700V 1A TO263
ระยะเวลาจัดส่งมาตรฐานของผู้ผลิต
32 สัปดาห์
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด
N-Channel, โหมดการลดการนำ 1700 V 1A (Tc) 290W (Tc) ติดบนพื้นผิว TO-263HV
เอกสารข้อมูล
 เอกสารข้อมูล
คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์
ประเภท
คำอธิบาย
เลือกทั้งหมด
หมวดหมู่
Mfr
ชุด
บรรจุภัณฑ์
ท่อ
สถานะผลิตภัณฑ์
ทำงาน
ประเภท FET
เทคโนโลยี
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss)
1700 V
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด)
10V
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs
16Ohm @ 500mA, 0V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id
-
เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs
47 nC @ 5 V
Vgs (สูงสุด)
±20V
ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds
3090 pF @ 25 V
คุณสมบัติของ FET
-
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด)
290W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน
-55°C ~ 150°C (TJ)
เกรด
-
คุณสมบัติ
-
ประเภทการติดตั้ง
ติดบนพื้นผิว
บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์
TO-263HV
บรรจุภัณฑ์ / เคส
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน
คำถามและคำตอบเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์

ดูว่าวิศวกรคนอื่นกำลังถามอะไร ถามคำถามของคุณเอง หรือช่วยตอบคำถามให้กับสมาชิกในชุมชนวิศวกรรมของ DigiKey

ในสต็อก: 624
ตรวจสอบสินค้าที่กำลังจะเข้าคลังเพิ่มเติม
ราคาทั้งหมดแสดงเป็นสกุลเงิน THB
ท่อ
จำนวน ราคาต่อหน่วย ต่อราคา
1฿738.05000฿738.05
50฿446.33620฿22,316.81
100฿435.47180฿43,547.18
แพ็กเกจมาตรฐานผู้ผลิต
หมายเหตุ: เนื่องจากบริการเพิ่มมูลค่าของ DigiKey ประเภทของบรรจุภัณฑ์อาจมีการเปลี่ยนแปลงเมื่อซื้อสินค้าในปริมาณที่ต่ำกว่าแพ็คเกจมาตรฐาน