Name: IXTN200N10L2
Brand: IXYS
SKU: 238-IXTN200N10L2-ND
Price: 1864.47 THB
Availability: InStock

N-ช่องสัญญาณ 100 V 178A (Tc) 830W (Tc) ติดตั้งบนแชสซี SOT-227B

ภาพที่ปรากฏเป็นเพียงภาพตัวอย่างเท่านั้น ควรขอข้อมูลจำเพาะที่แน่นอนจากเอกสารข้อมูลผลิตภัณฑ์

IXTN200N10L2
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	238-IXTN200N10L2-ND
ผู้ผลิต	IXYS
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	IXTN200N10L2
คำอธิบาย	MOSFET N-CH 100V 178A SOT227B
ระยะเวลาจัดส่งมาตรฐานของผู้ผลิต	18 สัปดาห์
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	N-ช่องสัญญาณ 100 V 178A (Tc) 830W (Tc) ติดตั้งบนแชสซี SOT-227B
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล

คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

กรองผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกัน

แสดงแอตทริบิวต์ที่ว่างเปล่า

หมวดหมู่ ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET เดี่ยว, MOSFET	Vgs (th) (สูงสุด) @ Id 4.5V @ 3mA
Mfr IXYS	เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs 540 nC @ 10 V
ชุด Linear L2™	Vgs (สูงสุด) ±20V
บรรจุภัณฑ์ ท่อ	ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds 23000 pF @ 25 V
สถานะผลิตภัณฑ์ ทำงาน	กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) 830W (Tc)
ประเภท FET N-ช่องสัญญาณ	อุณหภูมิในการทำงาน -55°C ~ 150°C (TJ)
เทคโนโลยี MOSFET (ออกไซด์โลหะ)	ประเภทการติดตั้ง ติดตั้งบนแชสซี
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss) 100 V	บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์ SOT-227B
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C 178A (Tc)	บรรจุภัณฑ์ / เคส SOT-227-4, miniBLOC
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด) 10V	หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน IXTN200
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs 11mOhm @ 100A, 10V