Name: IXTT2N300P3HV
Brand: IXYS
SKU: 238-IXTT2N300P3HV-ND
Price: 1896.36 THB
Availability: InStock

N-ช่องสัญญาณ 3000 V 2A (Tc) 520W (Tc) ติดบนพื้นผิว TO-268HV (IXTT)

ภาพที่ปรากฏเป็นเพียงภาพตัวอย่างเท่านั้น ควรขอข้อมูลจำเพาะที่แน่นอนจากเอกสารข้อมูลผลิตภัณฑ์

IXTT2N300P3HV
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	238-IXTT2N300P3HV-ND
ผู้ผลิต	IXYS
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	IXTT2N300P3HV
คำอธิบาย	MOSFET N-CH 3000V 2A TO268
ระยะเวลาจัดส่งมาตรฐานของผู้ผลิต	69 สัปดาห์
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	N-ช่องสัญญาณ 3000 V 2A (Tc) 520W (Tc) ติดบนพื้นผิว TO-268HV (IXTT)
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล

คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

กรองผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกัน

แสดงแอตทริบิวต์ที่ว่างเปล่า

หมวดหมู่ ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET เดี่ยว, MOSFET	Vgs (th) (สูงสุด) @ Id 5V @ 250µA
Mfr IXYS	เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs 73 nC @ 10 V
ชุด Polar P3™	Vgs (สูงสุด) ±20V
บรรจุภัณฑ์ ท่อ	ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds 1890 pF @ 25 V
สถานะผลิตภัณฑ์ ทำงาน	กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) 520W (Tc)
ประเภท FET N-ช่องสัญญาณ	อุณหภูมิในการทำงาน -55°C ~ 155°C (TJ)
เทคโนโลยี MOSFET (ออกไซด์โลหะ)	ประเภทการติดตั้ง ติดบนพื้นผิว
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss) 3000 V	บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์ TO-268HV (IXTT)
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C 2A (Tc)	บรรจุภัณฑ์ / เคส TO-268-3, D3PAK (2 ตัวนำ + แท็บ), TO-268AA
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด) 10V	หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน IXTT2
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs 21Ohm @ 1A, 10V