Name: IXTY02N120P-TRL
Brand: IXYS
SKU: 238-IXTY02N120P-TRLTR-ND
Price: 45.18777 THB
Availability: OutOfStock

N-ช่องสัญญาณ 1200 V 200mA (Tc) 33W (Tc) ติดบนพื้นผิว TO-252AA

ภาพที่ปรากฏเป็นเพียงภาพตัวอย่างเท่านั้น ควรขอข้อมูลจำเพาะที่แน่นอนจากเอกสารข้อมูลผลิตภัณฑ์

IXTY02N120P-TRL
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	238-IXTY02N120P-TRLTR-ND - เทปและม้วน (TR)
ผู้ผลิต	IXYS
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	IXTY02N120P-TRL
คำอธิบาย	MOSFET N-CH 1200V 200MA TO252
ระยะเวลาจัดส่งมาตรฐานของผู้ผลิต	27 สัปดาห์
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	N-ช่องสัญญาณ 1200 V 200mA (Tc) 33W (Tc) ติดบนพื้นผิว TO-252AA
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล

คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

กรองผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกัน

แสดงแอตทริบิวต์ที่ว่างเปล่า

หมวดหมู่ ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET เดี่ยว, MOSFET	Vgs (th) (สูงสุด) @ Id 4V @ 100µA
Mfr IXYS	เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs 4.7 nC @ 10 V
ชุด Polar	Vgs (สูงสุด) ±20V
บรรจุภัณฑ์ เทปและม้วน (TR)	ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds 104 pF @ 25 V
สถานะผลิตภัณฑ์ ทำงาน	กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) 33W (Tc)
ประเภท FET N-ช่องสัญญาณ	อุณหภูมิในการทำงาน -55°C ~ 150°C (TJ)
เทคโนโลยี MOSFET (ออกไซด์โลหะ)	ประเภทการติดตั้ง ติดบนพื้นผิว
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss) 1200 V	บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์ TO-252AA
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C 200mA (Tc)	บรรจุภัณฑ์ / เคส TO-252-3, DPAK (2 ตัวนำ + แท็บ), SC-63
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด) 10V	หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน IXTY02
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs 75Ohm @ 100mA, 10V