Name: MSC080SMA120SDT/R
Brand: Microchip Technology
SKU: 150-MSC080SMA120SDT/R-ND
Price: 367.27 THB
Availability: InStock

N-ช่องสัญญาณ 1200 V 35A (Tc) 182W (Tc) ติดบนพื้นผิว TO-263-7

ภาพที่ปรากฏเป็นเพียงภาพตัวอย่างเท่านั้น ควรขอข้อมูลจำเพาะที่แน่นอนจากเอกสารข้อมูลผลิตภัณฑ์

MSC080SMA120SDT/R
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	150-MSC080SMA120SDT/R-ND
ผู้ผลิต	Microchip Technology
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	MSC080SMA120SDT/R
คำอธิบาย	MOSFET SIC 1200 V 80 MOHM TO-263
ระยะเวลาจัดส่งมาตรฐานของผู้ผลิต	4 สัปดาห์
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	N-ช่องสัญญาณ 1200 V 35A (Tc) 182W (Tc) ติดบนพื้นผิว TO-263-7
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล

คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

กรองผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกัน

แสดงแอตทริบิวต์ที่ว่างเปล่า

หมวดหมู่ ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET เดี่ยว, MOSFET	Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs 100mOhm @ 15A, 20V
Mfr Microchip Technology	Vgs (th) (สูงสุด) @ Id 2.8V @ 1mA
ชุด MSiC™ MA	เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs 64 nC @ 20 V
บรรจุภัณฑ์ จำนวนมาก	Vgs (สูงสุด) +23V, -10V
สถานะผลิตภัณฑ์ ทำงาน	ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds 838 pF @ 1000 V
ประเภท FET N-ช่องสัญญาณ	กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) 182W (Tc)
เทคโนโลยี SiCFET (ซิลิกอนคาร์ไบด์)	อุณหภูมิในการทำงาน -55°C ~ 175°C (TJ)
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss) 1200 V	ประเภทการติดตั้ง ติดบนพื้นผิว
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C 35A (Tc)	บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์ TO-263-7
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด) 20V	บรรจุภัณฑ์ / เคส TO-263-8, D2PAK (7 ตัวนำ + แท็บ), TO-263CA