การตั้งค่า
จัดส่งที่รวดเร็ว
จัดส่งฟรี
Incoterms
ประเภทการชำระเงิน
ผลิตภัณฑ์ตลาดออนไลน์
ภาพที่ปรากฏเป็นเพียงภาพตัวอย่างเท่านั้น ควรขอข้อมูลจำเพาะที่แน่นอนจากเอกสารข้อมูลผลิตภัณฑ์
G2R120MT33J | |
|---|---|
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey | 1913-G2R120MT33J-ND |
ผู้ผลิต | |
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต | G2R120MT33J |
คำอธิบาย | SIC MOSFET N-CH TO263-7 |
การอ้างอิงของลูกค้า | |
คำอธิบายโดยละเอียด | N-ช่องสัญญาณ 3300 V 35A ติดบนพื้นผิว TO-263-7 |
เอกสารข้อมูล | เอกสารข้อมูล |
โมเดล EDA/CAD | G2R120MT33J รุ่น |
คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์
ประเภท | คำอธิบาย | เลือกทั้งหมด |
|---|---|---|
หมวดหมู่ | ||
Mfr | ||
ชุด | ||
บรรจุภัณฑ์ | ท่อ | |
สถานะผลิตภัณฑ์ | การซื้อครั้งสุดท้าย | |
ประเภท FET | ||
เทคโนโลยี | ||
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss) | 3300 V | |
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C | ||
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด) | 20V | |
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs | 156mOhm @ 20A, 20V | |
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id | - | |
เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 145 nC @ 20 V | |
Vgs (สูงสุด) | +25V, -10V | |
ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds | 3706 pF @ 1000 V | |
คุณสมบัติของ FET | - | |
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) | - | |
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
เกรด | - | |
คุณสมบัติ | - | |
ประเภทการติดตั้ง | ติดบนพื้นผิว | |
บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์ | TO-263-7 | |
บรรจุภัณฑ์ / เคส | ||
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน |
โอกาสสุดท้ายที่จะซื้อ
วันที่ซื้อครั้งล่าสุด: 31/5/2569
จำนวน
ราคาทั้งหมดแสดงเป็นสกุลเงิน THB
ท่อ
| จำนวน | ราคาต่อหน่วย | ต่อราคา |
|---|---|---|
| 250 | ฿2,972.46028 | ฿743,115.07 |
คุณอาจสนใจดูทั้งหมด
4 รายการ
