GAP3SLT33-220FP Navitas Semiconductor, Inc. | ไดโอดเดี่ยว

ภาพที่ปรากฏเป็นเพียงภาพตัวอย่างเท่านั้น ควรขอข้อมูลจำเพาะที่แน่นอนจากเอกสารข้อมูลผลิตภัณฑ์

คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

กรองผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกัน

หมวดหมู่ ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ไดโอด วงจรเรียงกระแส ไดโอดเดี่ยว	ความเร็ว เวลาการฟื้นตัวเป็นศูนย์ > 500mA (Io)
Mfr Navitas Semiconductor, Inc.	เวลาการกลับคืนสภาพ (trr) 0 ns
ชุด SiC Schottky MPS™	กระแสไฟฟ้า - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr 5 µA @ 3300 V
บรรจุภัณฑ์ ท่อ	ความจุไฟฟ้า @ Vr, F 42pF @ 1V, 1MHz
สถานะผลิตภัณฑ์ เลิกผลิต	ประเภทการติดตั้ง ทรูโฮล
เทคโนโลยี SiC (Silicon Carbide) Schottky	บรรจุภัณฑ์ / เคส TO-220-2 ชุดเต็ม
แรงดันไฟฟ้า - DC ย้อนกลับ (Vr) (สูงสุด) 3300 V	บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์ TO-220FP
กระแสไฟฟ้า - เรียงโดยเฉลี่ย (Io) 300mA	อุณหภูมิในการทำงาน - จังก์ชัน -55°C ~ 175°C
แรงดันไฟฟ้า - แรงดันตรง (Vf) (สูงสุด) ที่ If 1.7 V @ 300 mA	หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน GAP3SLT33

รายงานข้อมูลสินค้าผิดพลาด

เอกสารและสื่อ

การจำแนกประเภทสิ่งแวดล้อมและการส่งออก

แหล่งข้อมูลเพิ่มเติม

เลิกผลิตแล้ว

สินค้านี้ไม่มีการผลิตแล้ว

GAP3SLT33-220FP