Name: NV6026C
Brand: Navitas Semiconductor, Inc.
SKU: 1913-NV6026CTR-ND
Price: 162.94 THB
Availability: OutOfStock

ผลิตภัณฑ์ใหม่

N-ช่องสัญญาณ 900 V 11A (Tc) ติดบนพื้นผิว 8-PDFN (8x8)

ภาพที่ปรากฏเป็นเพียงภาพตัวอย่างเท่านั้น ควรขอข้อมูลจำเพาะที่แน่นอนจากเอกสารข้อมูลผลิตภัณฑ์

NV6026C
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	1913-NV6026CTR-ND - เทปและม้วน (TR) 1913-NV6026CCT-ND - เทปตัดขาย (CT) 1913-NV6026CDKR-ND - Digi-Reel®
ผู้ผลิต	Navitas Semiconductor, Inc.
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	NV6026C
คำอธิบาย	GANFET DISCRETE 650V 150MOHM PQF
ระยะเวลาจัดส่งมาตรฐานของผู้ผลิต	26 สัปดาห์
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	N-ช่องสัญญาณ 900 V 11A (Tc) ติดบนพื้นผิว 8-PDFN (8x8)
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล

คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

กรองผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกัน

แสดงแอตทริบิวต์ที่ว่างเปล่า

หมวดหมู่ ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET เดี่ยว, MOSFET	Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs 210mOhm @ 4A, 6V
Mfr Navitas Semiconductor, Inc.	Vgs (th) (สูงสุด) @ Id 2.6V @ 7mA
ชุด GaNFast™	เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs 2.4 nC @ 6 V
บรรจุภัณฑ์ เทปและม้วน (TR) เทปตัดขาย (CT) Digi-Reel®	Vgs (สูงสุด) +7V, -10V
สถานะผลิตภัณฑ์ ทำงาน	ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds 74 pF @ 400 V
ประเภท FET N-ช่องสัญญาณ	อุณหภูมิในการทำงาน -55°C ~ 150°C
เทคโนโลยี GaNFET (แกลเลียมไนไตรด์)	ประเภทการติดตั้ง ติดบนพื้นผิว
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss) 900 V	บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์ 8-PDFN (8x8)
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C 11A (Tc)	บรรจุภัณฑ์ / เคส 8-VDFN แผ่นสัมผัส
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด) 6V