Name: NV6028
Brand: Navitas Semiconductor, Inc.
SKU: 1913-NV6028TR-ND
Price: 324.59 THB
Availability: InStock

ผลิตภัณฑ์ใหม่

N-ช่องสัญญาณ 650 V 25A (Tc) 105W (Tc) ติดบนพื้นผิว 8-PDFN (8x8)

ภาพที่ปรากฏเป็นเพียงภาพตัวอย่างเท่านั้น ควรขอข้อมูลจำเพาะที่แน่นอนจากเอกสารข้อมูลผลิตภัณฑ์

NV6028
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	1913-NV6028TR-ND - เทปและม้วน (TR) 1913-NV6028CT-ND - เทปตัดขาย (CT) 1913-NV6028DKR-ND - Digi-Reel®
ผู้ผลิต	Navitas Semiconductor, Inc.
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	NV6028
คำอธิบาย	GANFET DISCRETE 650V 70MOHM PQFN
ระยะเวลาจัดส่งมาตรฐานของผู้ผลิต	26 สัปดาห์
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	N-ช่องสัญญาณ 650 V 25A (Tc) 105W (Tc) ติดบนพื้นผิว 8-PDFN (8x8)
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล

คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ประเภท	คำอธิบาย	เลือกทั้งหมด
หมวดหมู่	ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET เดี่ยว, MOSFET
Mfr	Navitas Semiconductor, Inc.
ชุด	GaNFast™
บรรจุภัณฑ์	เทปและม้วน (TR) เทปตัดขาย (CT) Digi-Reel®
สถานะผลิตภัณฑ์	ทำงาน
ประเภท FET	N-ช่องสัญญาณ
เทคโนโลยี	GaNFET (แกลเลียมไนไตรด์)
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss)	650 V
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C	25A (Tc)
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด)	6V
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs	100mOhm @ 9A, 6V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id	2.8V @ 17mA
เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs	6.3 nC @ 6 V
Vgs (สูงสุด)	+7V, -10V
ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds	147 pF @ 400 V
คุณสมบัติของ FET	-
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด)	105W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน	-55°C ~ 150°C
เกรด	-
คุณสมบัติ	-
ประเภทการติดตั้ง	ติดบนพื้นผิว
บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์	8-PDFN (8x8)
บรรจุภัณฑ์ / เคส	8-VDFN แผ่นสัมผัส