Name: NVG025A08TC
Brand: Navitas Semiconductor, Inc.
SKU: 1913-NVG025A08TCTR-ND
Price: 162.3 THB
Availability: OutOfStock

ผลิตภัณฑ์ใหม่

ภาพที่ปรากฏเป็นเพียงภาพตัวอย่างเท่านั้น ควรขอข้อมูลจำเพาะที่แน่นอนจากเอกสารข้อมูลผลิตภัณฑ์

NVG025A08TC
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	1913-NVG025A08TCTR-ND - เทปและม้วน (TR) 1913-NVG025A08TCCT-ND - เทปตัดขาย (CT) 1913-NVG025A08TCDKR-ND - Digi-Reel®
ผู้ผลิต	Navitas Semiconductor, Inc.
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	NVG025A08TC
คำอธิบาย	GANFET DISCRETE 80V 2.5MOHM PQFN
ระยะเวลาจัดส่งมาตรฐานของผู้ผลิต	26 สัปดาห์
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	N-ช่องสัญญาณ 80 V 23 A (Ta), 86A (Tc) ติดบนพื้นผิว 6-PQFN (3x5)
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล

คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

กรองผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกัน

แสดงแอตทริบิวต์ที่ว่างเปล่า

หมวดหมู่ ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET เดี่ยว, MOSFET	Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs 2.5mOhm @ 25A, 5V
Mfr Navitas Semiconductor, Inc.	Vgs (th) (สูงสุด) @ Id 2.9V @ 10mA
ชุด GaNFast™	เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs 12 nC @ 5 V
บรรจุภัณฑ์ เทปและม้วน (TR) เทปตัดขาย (CT) Digi-Reel®	Vgs (สูงสุด) +6V, -4V
สถานะผลิตภัณฑ์ ทำงาน	ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds 1250 pF @ 40 V
ประเภท FET N-ช่องสัญญาณ	อุณหภูมิในการทำงาน -40°C ~ 150°C (TJ)
เทคโนโลยี GaNFET (แกลเลียมไนไตรด์)	ประเภทการติดตั้ง ติดบนพื้นผิว
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss) 80 V	บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์ 6-PQFN (3x5)
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C 23 A (Ta), 86A (Tc)	บรรจุภัณฑ์ / เคส 6-PowerTQFN
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด) 5V