BUK7626-100B,118 Nexperia USA Inc. | FET เดี่ยว, MOSFET

N-ช่องสัญญาณ 100 V 49A (Tc) 157W (Tc) ติดบนพื้นผิว D2PAK

ภาพที่ปรากฏเป็นเพียงภาพตัวอย่างเท่านั้น ควรขอข้อมูลจำเพาะที่แน่นอนจากเอกสารข้อมูลผลิตภัณฑ์

BUK7626-100B,118
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	1727-4705-2-ND - เทปและม้วน (TR) 1727-4705-1-ND - เทปตัดขาย (CT)
ผู้ผลิต	Nexperia USA Inc.
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	BUK7626-100B,118
คำอธิบาย	MOSFET N-CH 100V 49A D2PAK
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	N-ช่องสัญญาณ 100 V 49A (Tc) 157W (Tc) ติดบนพื้นผิว D2PAK
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล

คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

กรองผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกัน

แสดงแอตทริบิวต์ที่ว่างเปล่า

หมวดหมู่ ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET เดี่ยว, MOSFET	เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs 38 nC @ 10 V
Mfr Nexperia USA Inc.	Vgs (สูงสุด) ±20V
ชุด TrenchMOS™	ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds 2891 pF @ 25 V
บรรจุภัณฑ์ เทปและม้วน (TR) เทปตัดขาย (CT)	กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) 157W (Tc)
สถานะผลิตภัณฑ์ เลิกผลิต	อุณหภูมิในการทำงาน -55°C ~ 175°C (TJ)
ประเภท FET N-ช่องสัญญาณ	เกรด รถยนต์
เทคโนโลยี MOSFET (ออกไซด์โลหะ)	คุณสมบัติ AEC-Q101
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss) 100 V	ประเภทการติดตั้ง ติดบนพื้นผิว
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C 49A (Tc)	บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์ D2PAK
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด) 10V	บรรจุภัณฑ์ / เคส TO-263-3, D2PAK (2 ตัวนำ + แท็บ), TO-263AB
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs 26mOhm @ 25A, 10V	หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน BUK7626
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id 4V @ 1mA

รายงานข้อมูลสินค้าผิดพลาด

เอกสารและสื่อ

การจำแนกประเภทสิ่งแวดล้อมและการส่งออก

แหล่งข้อมูลเพิ่มเติม

ผลิตภัณฑ์ทดแทน (12)

หมายเลขผลิตภัณฑ์	ผู้ผลิต	จำนวนที่มีอยู่	หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	ราคาต่อหน่วย	ประเภทสินค้าทดแทน
DI056N10D2-AQ	Diotec Semiconductor	0	4878-DI056N10D2-AQTR-ND	฿28.51870	Similar
FDB86102LZ	onsemi	282	FDB86102LZCT-ND	฿93.43000	Similar
FQB55N10TM	onsemi	869	FQB55N10TMCT-ND	฿108.95000	Similar
HUF75639S3ST	onsemi	0	HUF75639S3STCT-ND	฿119.30000	Similar
HUF76639S3ST	onsemi	898	HUF76639S3STFSCT-ND	฿105.07000	Similar