GAN063-650WSAQ Nexperia USA Inc. | ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน

GAN063-650WSAQ
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	1727-GAN063-650WSAQ-ND
ผู้ผลิต	Nexperia USA Inc.
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	GAN063-650WSAQ
คำอธิบาย	GANFET N-CH 650V 34.5A TO247-3
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	N-ช่องสัญญาณ 650 V 34.5A (Tc) 143W (Tc) ทรูโฮล TO-247-3
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล
โมเดล EDA/CAD	GAN063-650WSAQ รุ่น

ประเภท	คำอธิบาย	เลือกทั้งหมด
หมวดหมู่	ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET เดี่ยว, MOSFET
Mfr	Nexperia USA Inc.
ชุด	-
บรรจุภัณฑ์	ท่อ
สถานะผลิตภัณฑ์	เลิกผลิต
ประเภท FET	N-ช่องสัญญาณ
เทคโนโลยี	GaNFET (คาสโคดแกลเลียมไนไตรด์ FET)
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss)	650 V
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C	34.5A (Tc)
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด)	10V
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs	60mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id	4.5V @ 1mA
เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs	15 nC @ 10 V
Vgs (สูงสุด)	±20V
ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds	1000 pF @ 400 V
คุณสมบัติของ FET	-
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด)	143W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน	-55°C ~ 175°C (TJ)
เกรด	-
คุณสมบัติ	-
ประเภทการติดตั้ง	ทรูโฮล
บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์	TO-247-3
บรรจุภัณฑ์ / เคส	TO-247-3
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน	GAN063