Name: PDTC143ZT-QR
Brand: Nexperia USA Inc.
SKU: 1727-PDTC143ZT-QRTR-ND
Price: 3.26 THB
Availability: OutOfStock

ทรานซิสเตอร์แบบ pre-biased bipolar (bjt) NPN - พรีไบแอส 50 V 100 mA 230 MHz 250 mW ติดบนพื้นผิว TO-236AB

ภาพที่ปรากฏเป็นเพียงภาพตัวอย่างเท่านั้น ควรขอข้อมูลจำเพาะที่แน่นอนจากเอกสารข้อมูลผลิตภัณฑ์

PDTC143ZT-QR
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	1727-PDTC143ZT-QRTR-ND - เทปและม้วน (TR) 1727-PDTC143ZT-QRCT-ND - เทปตัดขาย (CT) 1727-PDTC143ZT-QRDKR-ND - Digi-Reel®
ผู้ผลิต	Nexperia USA Inc.
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	PDTC143ZT-QR
คำอธิบาย	TRANS PREBIAS NPN 50V TO236AB
ระยะเวลาจัดส่งมาตรฐานของผู้ผลิต	10 สัปดาห์
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	ทรานซิสเตอร์แบบ pre-biased bipolar (bjt) NPN - พรีไบแอส 50 V 100 mA 230 MHz 250 mW ติดบนพื้นผิว TO-236AB

คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

กรองผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกัน

แสดงแอตทริบิวต์ที่ว่างเปล่า

หมวดหมู่ ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ สองขั้ว (BJT) ทรานซิสเตอร์แบบไบโพลาร์แบบเดี่ยวและแบบไบโพลาร์	เกนกระแสไฟฟ้า DC (hFE) (ต่ำสุด) @ Ic, Vce 100 @ 10mA, 5V
ผู้ผลิต Nexperia USA Inc.	Vce อิ่มตัว (สูงสุด) @ Ib, Ic 100mV @ 250µA, 5mA
บรรจุภัณฑ์ เทปและม้วน (TR) เทปตัดขาย (CT) Digi-Reel®	กระแสไฟฟ้า - คอลเลคเตอร์คัตออฟ (สูงสุด) 100nA
สถานะผลิตภัณฑ์ ทำงาน	ความถี่ - การเปลี่ยน 230 MHz
ประเภททรานซิสเตอร์ NPN - พรีไบแอส	พลังงาน - สูงสุด 250 mW
กระแสไฟฟ้า - คอลเลคเตอร์ (Ic) (สูงสุด) 100 mA	เกรด รถยนต์
แรงดันไฟฟ้า - พังทลายระหว่างอิมิเตอร์และคอลเลคเตอร์ (สูงสุด) 50 V	คุณสมบัติ AEC-Q101
รวมตัวต้านทานแล้ว R1 และ R2	ประเภทการติดตั้ง ติดบนพื้นผิว
ตัวต้านทาน - เบส (R1) 4.7 kOhms	บรรจุภัณฑ์ / เคส TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
ตัวต้านทาน - ระหว่างอิมิเตอร์และเบส (R2) 47 kOhms	บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์ TO-236AB