PHB18NQ10T,118 Nexperia USA Inc. | ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน

PHB18NQ10T,118
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	PHB18NQ10T,118-ND - เทปและม้วน (TR)
ผู้ผลิต	Nexperia USA Inc.
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	PHB18NQ10T,118
คำอธิบาย	MOSFET N-CH 100V 18A D2PAK
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	N-ช่องสัญญาณ 100 V 18A (Tc) 79W (Tc) ติดบนพื้นผิว D2PAK
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล

ประเภท	คำอธิบาย	เลือกทั้งหมด
หมวดหมู่	ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET เดี่ยว, MOSFET
Mfr	Nexperia USA Inc.
ชุด	TrenchMOS™
บรรจุภัณฑ์	เทปและม้วน (TR)
สถานะผลิตภัณฑ์	เลิกผลิต
ประเภท FET	N-ช่องสัญญาณ
เทคโนโลยี	MOSFET (ออกไซด์โลหะ)
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss)	100 V
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C	18A (Tc)
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด)	10V
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs	90mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id	4V @ 1mA
เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs	21 nC @ 10 V
Vgs (สูงสุด)	±20V
ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds	633 pF @ 25 V
คุณสมบัติของ FET	-
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด)	79W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน	-55°C ~ 175°C (TJ)
เกรด	-
คุณสมบัติ	-
ประเภทการติดตั้ง	ติดบนพื้นผิว
บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์	D2PAK
บรรจุภัณฑ์ / เคส	TO-263-3, D2PAK (2 ตัวนำ + แท็บ), TO-263AB
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน	PHB18NQ10