PMEG120G30ELPJ Nexperia USA Inc. | ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน

ประเภท	คำอธิบาย	เลือกทั้งหมด
หมวดหมู่	ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ไดโอด วงจรเรียงกระแส ไดโอดเดี่ยว
Mfr	Nexperia USA Inc.
ชุด	-
บรรจุภัณฑ์	เทปและม้วน (TR)
สถานะผลิตภัณฑ์	เลิกผลิต
เทคโนโลยี	SiGe (Silicon Germanium)
แรงดันไฟฟ้า - DC ย้อนกลับ (Vr) (สูงสุด)	120 V
กระแสไฟฟ้า - เรียงโดยเฉลี่ย (Io)	3A
แรงดันไฟฟ้า - แรงดันตรง (Vf) (สูงสุด) ที่ If	840 mV @ 3 A
ความเร็ว	คืนสภาพเร็ว =< 500ns, > 200mA (Io)
เวลาการกลับคืนสภาพ (trr)	11 ns
กระแสไฟฟ้า - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr	30 nA @ 120 V
ความจุไฟฟ้า @ Vr, F	103pF @ 1V, 1MHz
ประเภทการติดตั้ง	ติดบนพื้นผิว
บรรจุภัณฑ์ / เคส	SOD-128
บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์	SOD-128/CFP5
อุณหภูมิในการทำงาน - จังก์ชัน	175°C (สูงสุด)
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน	PMEG120