PMH1200UPEH Nexperia USA Inc. | FET เดี่ยว, MOSFET

P-ช่องสัญญาณ 30 V 520mA (Tc) 380mW (Ta), 2.8W (Tc) ติดบนพื้นผิว DFN0606-3

ภาพที่ปรากฏเป็นเพียงภาพตัวอย่างเท่านั้น ควรขอข้อมูลจำเพาะที่แน่นอนจากเอกสารข้อมูลผลิตภัณฑ์

PMH1200UPEH
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	1727-8578-2-ND - เทปและม้วน (TR) 1727-8578-1-ND - เทปตัดขาย (CT) 1727-8578-6-ND - Digi-Reel®
ผู้ผลิต	Nexperia USA Inc.
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	PMH1200UPEH
คำอธิบาย	MOSFET P-CH 30V 520MA DFN0606-3
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	P-ช่องสัญญาณ 30 V 520mA (Tc) 380mW (Ta), 2.8W (Tc) ติดบนพื้นผิว DFN0606-3
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล
โมเดล EDA/CAD	PMH1200UPEH รุ่น

คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

กรองผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกัน

แสดงแอตทริบิวต์ที่ว่างเปล่า

หมวดหมู่ ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET เดี่ยว, MOSFET	Vgs (th) (สูงสุด) @ Id 950mV @ 250µA
Mfr Nexperia USA Inc.	เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs 1 nC @ 5 V
บรรจุภัณฑ์ เทปและม้วน (TR) เทปตัดขาย (CT) Digi-Reel®	Vgs (สูงสุด) ±10V
สถานะผลิตภัณฑ์ ดำเนินการต่อที่ DigiKey	ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds 33 pF @ 15 V
ประเภท FET P-ช่องสัญญาณ	กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) 380mW (Ta), 2.8W (Tc)
เทคโนโลยี MOSFET (ออกไซด์โลหะ)	อุณหภูมิในการทำงาน -55°C ~ 150°C (TJ)
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss) 30 V	ประเภทการติดตั้ง ติดบนพื้นผิว
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C 520mA (Tc)	บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์ DFN0606-3
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด) 1.5V, 4.5V	บรรจุภัณฑ์ / เคส 3-XFDFN
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs 1.6Ohm @ 410mA, 4.5V	หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน PMH1200

รายงานข้อมูลสินค้าผิดพลาด

เอกสารและสื่อ

การจำแนกประเภทสิ่งแวดล้อมและการส่งออก

แหล่งข้อมูลเพิ่มเติม

ในสต็อก: 388

เมื่อสต็อกที่มีอยู่ของสินค้านี้หมดลง จะใช้บรรจุภัณฑ์และระยะเวลารอคอยมาตรฐานของผู้ผลิต

เนื่องจากเกิดปัญหาด้านข้อจำกัดทางด้านการจัดส่งชั่วคราว เราจึงไม่สามารถรับคำสั่งซื้อสำหรับสินค้ารอส่งได้ และยังไม่สามารถแจ้งระยะเวลารอคอยสินค้าได้ในขณะนี้

จำนวน

ราคาทั้งหมดแสดงเป็นสกุลเงิน THB

เทปตัดขาย (CT) & Digi-Reel®