Name: PSMN2R0-40YLDX
Brand: Nexperia USA Inc.
SKU: 1727-PSMN2R0-40YLDXTR-ND
Price: 88.58 THB
Availability: InStock

N-ช่องสัญญาณ 40 V 180A (Tc) 166W (Tc) ติดบนพื้นผิว LFPAK56, พาวเวอร์-SO8

ภาพที่ปรากฏเป็นเพียงภาพตัวอย่างเท่านั้น ควรขอข้อมูลจำเพาะที่แน่นอนจากเอกสารข้อมูลผลิตภัณฑ์

PSMN2R0-40YLDX
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	1727-PSMN2R0-40YLDXTR-ND - เทปและม้วน (TR) 1727-PSMN2R0-40YLDXCT-ND - เทปตัดขาย (CT) 1727-PSMN2R0-40YLDXDKR-ND - Digi-Reel®
ผู้ผลิต	Nexperia USA Inc.
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	PSMN2R0-40YLDX
คำอธิบาย	MOSFET N-CH 40V 180A LFPAK56
ระยะเวลาจัดส่งมาตรฐานของผู้ผลิต	16 สัปดาห์
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	N-ช่องสัญญาณ 40 V 180A (Tc) 166W (Tc) ติดบนพื้นผิว LFPAK56, พาวเวอร์-SO8
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล

คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ประเภท	คำอธิบาย	เลือกทั้งหมด
หมวดหมู่	ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET เดี่ยว, MOSFET
Mfr	Nexperia USA Inc.
ชุด	TrenchMOS™
บรรจุภัณฑ์	เทปและม้วน (TR) เทปตัดขาย (CT) Digi-Reel®
สถานะผลิตภัณฑ์	ทำงาน
ประเภท FET	N-ช่องสัญญาณ
เทคโนโลยี	MOSFET (ออกไซด์โลหะ)
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss)	40 V
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C	180A (Tc)
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด)	4.5V, 10V
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs	2.1mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id	2.05V @ 1mA
เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs	92 nC @ 10 V
Vgs (สูงสุด)	±20V
ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds	6581 pF @ 20 V
คุณสมบัติของ FET	Schottky ไดโอด (บอดี้)
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด)	166W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน	-55°C ~ 175°C (TJ)
เกรด	-
คุณสมบัติ	-
ประเภทการติดตั้ง	ติดบนพื้นผิว
บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์	LFPAK56, พาวเวอร์-SO8
บรรจุภัณฑ์ / เคส	SC-100, SOT-669
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน	PSMN2R0