MHT1006NT1 NXP USA Inc. | ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน

ประเภท	คำอธิบาย	เลือกทั้งหมด
หมวดหมู่	ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET RF FETs, MOSFET
ผู้ผลิต	NXP USA Inc.
ชุด	-
บรรจุภัณฑ์	เทปและม้วน (TR)
สถานะผลิตภัณฑ์	เลิกผลิต
เทคโนโลยี	LDMOS
ความถี่	2.17GHz
อัตราการขยาย	21.7dB
แรงดันไฟฟ้า - ทดสอบ	28 V
อัตรากระแสไฟฟ้า (Amps)	-
ค่าสัญญาณรบกวน	-
กระแสไฟฟ้า - ทดสอบ	90 mA
พลังงาน - เอาต์พุต	1.26W
แรงดันไฟฟ้า - พิกัด	65 V
ประเภทการติดตั้ง	ติดบนพื้นผิว
บรรจุภัณฑ์ / เคส	PLD-1.5W
บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์	PLD-1.5W
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน	MHT1006