MMRF5017HSR5 NXP USA Inc. | ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน

ประเภท	คำอธิบาย	เลือกทั้งหมด
หมวดหมู่	ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET RF FETs, MOSFET
ผู้ผลิต	NXP USA Inc.
ชุด	-
บรรจุภัณฑ์	ถาด
สถานะผลิตภัณฑ์	เลิกผลิต
เทคโนโลยี	HEMT
ความถี่	30MHz ~ 2.2GHz
อัตราการขยาย	18.4dB
แรงดันไฟฟ้า - ทดสอบ	50 V
อัตรากระแสไฟฟ้า (Amps)	-
ค่าสัญญาณรบกวน	-
กระแสไฟฟ้า - ทดสอบ	200 mA
พลังงาน - เอาต์พุต	125W
แรงดันไฟฟ้า - พิกัด	150 V
ประเภทการติดตั้ง	ติดบนพื้นผิว
บรรจุภัณฑ์ / เคส	NI-400S-2S
บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์	NI-400S-2S
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน	MMRF5017