PMEG2002ESF,315 NXP USA Inc. | ไดโอดเดี่ยว

ภาพที่ปรากฏเป็นเพียงภาพตัวอย่างเท่านั้น ควรขอข้อมูลจำเพาะที่แน่นอนจากเอกสารข้อมูลผลิตภัณฑ์

คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

กรองผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกัน

แสดงแอตทริบิวต์ที่ว่างเปล่า

หมวดหมู่ ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ไดโอด วงจรเรียงกระแส ไดโอดเดี่ยว	ความเร็ว สัญญาณขนาดเล็ก =< 200mA (Io), ความเร็วใดๆ
Mfr NXP USA Inc.	เวลาการกลับคืนสภาพ (trr) 1.9 ns
บรรจุภัณฑ์ จำนวนมาก	กระแสไฟฟ้า - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr 3.5 µA @ 20 V
สถานะผลิตภัณฑ์ ทำงาน	ความจุไฟฟ้า @ Vr, F 25pF @ 1V, 1MHz
เทคโนโลยี Schottky	ประเภทการติดตั้ง ติดบนพื้นผิว
แรงดันไฟฟ้า - DC ย้อนกลับ (Vr) (สูงสุด) 20 V	บรรจุภัณฑ์ / เคส 0201 (0603 เมตริก)
กระแสไฟฟ้า - เรียงโดยเฉลี่ย (Io) 200mA	บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์ DSN0603-2
แรงดันไฟฟ้า - แรงดันตรง (Vf) (สูงสุด) ที่ If 490 mV @ 100 mA	อุณหภูมิในการทำงาน - จังก์ชัน 125°C (สูงสุด)