Name: 2N7002KT1G
Brand: onsemi
SKU: 2N7002KT1GOSTR-ND
Price: 6.79 THB
Availability: InStock

N-ช่องสัญญาณ 60 V 320mA (Ta) 300mW (Ta) ติดบนพื้นผิว SOT-23-3 (TO-236)

ภาพที่ปรากฏเป็นเพียงภาพตัวอย่างเท่านั้น ควรขอข้อมูลจำเพาะที่แน่นอนจากเอกสารข้อมูลผลิตภัณฑ์

2N7002KT1G
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	2N7002KT1GOSTR-ND - เทปและม้วน (TR) 2N7002KT1GOSCT-ND - เทปตัดขาย (CT) 2N7002KT1GOSDKR-ND - Digi-Reel®
ผู้ผลิต	onsemi
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	2N7002KT1G
คำอธิบาย	MOSFET N-CH 60V 320MA SOT23-3
ระยะเวลาจัดส่งมาตรฐานของผู้ผลิต	44 สัปดาห์
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	N-ช่องสัญญาณ 60 V 320mA (Ta) 300mW (Ta) ติดบนพื้นผิว SOT-23-3 (TO-236)
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล
โมเดล EDA/CAD	2N7002KT1G รุ่น

คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

กรองผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกัน

แสดงแอตทริบิวต์ที่ว่างเปล่า

หมวดหมู่ ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET เดี่ยว, MOSFET	Vgs (th) (สูงสุด) @ Id 2.3V @ 250µA
Mfr onsemi	เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs 0.7 nC @ 4.5 V
บรรจุภัณฑ์ เทปและม้วน (TR) เทปตัดขาย (CT) Digi-Reel®	Vgs (สูงสุด) ±20V
สถานะผลิตภัณฑ์ ทำงาน	ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds 24.5 pF @ 20 V
ประเภท FET N-ช่องสัญญาณ	กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) 300mW (Ta)
เทคโนโลยี MOSFET (ออกไซด์โลหะ)	อุณหภูมิในการทำงาน -55°C ~ 150°C (TJ)
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss) 60 V	ประเภทการติดตั้ง ติดบนพื้นผิว
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C 320mA (Ta)	บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์ SOT-23-3 (TO-236)
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด) 4.5V, 10V	บรรจุภัณฑ์ / เคส TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs 1.6Ohm @ 500mA, 10V	หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน 2N7002

รายงานข้อมูลสินค้าผิดพลาด

เอกสารและสื่อ

การจำแนกประเภทสิ่งแวดล้อมและการส่งออก

แหล่งข้อมูลเพิ่มเติม

ผลิตภัณฑ์ทดแทน (3)

หมายเลขผลิตภัณฑ์	ผู้ผลิต	จำนวนที่มีอยู่	หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	ราคาต่อหน่วย	ประเภทสินค้าทดแทน
2N7002K-T1-GE3	Vishay Siliconix	456,914	2N7002K-T1-GE3CT-ND	฿10.02000	Similar
2N7002K_R1_00001	Panjit International Inc.	52,222	3757-2N7002K_R1_00001CT-ND	฿3.88000	Similar
BSS138BK,215	Nexperia USA Inc.	5,200	1727-1141-1-ND	฿7.11000	Similar