Name: BVSS123LT1G
Brand: onsemi
SKU: BVSS123LT1GOSTR-ND
Price: 14.23 THB
Availability: InStock

N-ช่องสัญญาณ 100 V 170mA (Ta) 225mW (Ta) ติดบนพื้นผิว SOT-23-3 (TO-236)

ภาพที่ปรากฏเป็นเพียงภาพตัวอย่างเท่านั้น ควรขอข้อมูลจำเพาะที่แน่นอนจากเอกสารข้อมูลผลิตภัณฑ์

BVSS123LT1G
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	BVSS123LT1GOSTR-ND - เทปและม้วน (TR) BVSS123LT1GOSCT-ND - เทปตัดขาย (CT) BVSS123LT1GOSDKR-ND - Digi-Reel®
ผู้ผลิต	onsemi
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	BVSS123LT1G
คำอธิบาย	MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
ระยะเวลาจัดส่งมาตรฐานของผู้ผลิต	46 สัปดาห์
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	N-ช่องสัญญาณ 100 V 170mA (Ta) 225mW (Ta) ติดบนพื้นผิว SOT-23-3 (TO-236)
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล
โมเดล EDA/CAD	BVSS123LT1G รุ่น

คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

กรองผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกัน

แสดงแอตทริบิวต์ที่ว่างเปล่า

หมวดหมู่ ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET เดี่ยว, MOSFET	Vgs (สูงสุด) ±20V
Mfr onsemi	ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds 20 pF @ 25 V
บรรจุภัณฑ์ เทปและม้วน (TR) เทปตัดขาย (CT) Digi-Reel®	กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) 225mW (Ta)
สถานะผลิตภัณฑ์ ทำงาน	อุณหภูมิในการทำงาน -55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภท FET N-ช่องสัญญาณ	เกรด รถยนต์
เทคโนโลยี MOSFET (ออกไซด์โลหะ)	คุณสมบัติ AEC-Q101
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss) 100 V	ประเภทการติดตั้ง ติดบนพื้นผิว
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C 170mA (Ta)	บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์ SOT-23-3 (TO-236)
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด) 10V	บรรจุภัณฑ์ / เคส TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs 6Ohm @ 100mA, 10V	หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน BVSS123
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id 2.8V @ 1mA