CPH3350-TL-W onsemi | FET เดี่ยว, MOSFET

CPH3350-TL-W ตกรุ่นและไม่มีการผลิตอีกต่อไป

ผลิตภัณฑ์ทดแทนที่มีอยู่:

MFR ที่แนะนำ

FDN304PZ

onsemi

มีอยู่ในสต็อค: 32,207

ราคาต่อหน่วย : ฿31.04000

เอกสารข้อมูล

Similar

TSM500P02CX RFG

Taiwan Semiconductor Corporation

มีอยู่ในสต็อค: 89,620

ราคาต่อหน่วย : ฿22.31000

เอกสารข้อมูล

ดูและเปรียบเทียบผลิตภัณฑ์ทดแทนทั้งหมด

P-ช่องสัญญาณ 20 V 3A (Ta) 1W (Ta) ติดบนพื้นผิว 3-CPH

ภาพที่ปรากฏเป็นเพียงภาพตัวอย่างเท่านั้น ควรขอข้อมูลจำเพาะที่แน่นอนจากเอกสารข้อมูลผลิตภัณฑ์

CPH3350-TL-W
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	CPH3350-TL-WOSTR-ND - เทปและม้วน (TR)
ผู้ผลิต	onsemi
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	CPH3350-TL-W
คำอธิบาย	MOSFET P-CH 20V 3A 3CPH
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	P-ช่องสัญญาณ 20 V 3A (Ta) 1W (Ta) ติดบนพื้นผิว 3-CPH
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล
โมเดล EDA/CAD	CPH3350-TL-W รุ่น

คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

กรองผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกัน

แสดงแอตทริบิวต์ที่ว่างเปล่า

หมวดหมู่ ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET เดี่ยว, MOSFET	เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs 4.6 nC @ 4.5 V
Mfr onsemi	Vgs (สูงสุด) ±10V
บรรจุภัณฑ์ เทปและม้วน (TR)	ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds 375 pF @ 10 V
สถานะผลิตภัณฑ์ เลิกผลิต	กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) 1W (Ta)
ประเภท FET P-ช่องสัญญาณ	อุณหภูมิในการทำงาน 150°C (TJ)
เทคโนโลยี MOSFET (ออกไซด์โลหะ)	ประเภทการติดตั้ง ติดบนพื้นผิว
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss) 20 V	บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์ 3-CPH
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C 3A (Ta)	บรรจุภัณฑ์ / เคส TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด) 1.8V, 4.5V	หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน CPH3350
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs 83mOhm @ 1.5A, 4.5V

รายงานข้อมูลสินค้าผิดพลาด

เอกสารและสื่อ

การจำแนกประเภทสิ่งแวดล้อมและการส่งออก

แหล่งข้อมูลเพิ่มเติม

ผลิตภัณฑ์ทดแทน (2)

หมายเลขผลิตภัณฑ์	ผู้ผลิต	จำนวนที่มีอยู่	หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	ราคาต่อหน่วย	ประเภทสินค้าทดแทน
FDN304PZ	onsemi	32,207	FDN304PZCT-ND	฿31.04000	MFR ที่แนะนำ
TSM500P02CX RFG	Taiwan Semiconductor Corporation	89,620	TSM500P02CXRFGCT-ND	฿22.31000	Similar