FCH25N60N onsemi | ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน

FCH25N60N
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	FCH25N60NOS-ND
ผู้ผลิต	onsemi
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	FCH25N60N
คำอธิบาย	MOSFET N-CH 600V 25A TO247-3
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	N-ช่องสัญญาณ 600 V 25A (Tc) 216W (Tc) ทรูโฮล TO-247-3
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล
โมเดล EDA/CAD	FCH25N60N รุ่น

ประเภท	คำอธิบาย	เลือกทั้งหมด
หมวดหมู่	ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET เดี่ยว, MOSFET
Mfr	onsemi
ชุด	SupreMOS™
บรรจุภัณฑ์	ท่อ
สถานะผลิตภัณฑ์	เลิกผลิต
ประเภท FET	N-ช่องสัญญาณ
เทคโนโลยี	MOSFET (ออกไซด์โลหะ)
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss)	600 V
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C	25A (Tc)
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด)	10V
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs	126mOhm @ 12.5A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id	4V @ 250µA
เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs	74 nC @ 10 V
Vgs (สูงสุด)	±30V
ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds	3352 pF @ 100 V
คุณสมบัติของ FET	-
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด)	216W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน	-55°C ~ 150°C (TJ)
เกรด	-
คุณสมบัติ	-
ประเภทการติดตั้ง	ทรูโฮล
บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์	TO-247-3
บรรจุภัณฑ์ / เคส	TO-247-3
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน	FCH25N60