FCPF11N65 onsemi | ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน

FCPF11N65
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	FCPF11N65-ND
ผู้ผลิต	onsemi
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	FCPF11N65
คำอธิบาย	MOSFET N-CH 650V 11A TO220F
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	N-ช่องสัญญาณ 650 V 11A (Tc) 36W (Tc) ทรูโฮล TO-220F-3
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล
โมเดล EDA/CAD	FCPF11N65 รุ่น

ประเภท	คำอธิบาย	เลือกทั้งหมด
หมวดหมู่	ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET เดี่ยว, MOSFET
Mfr	onsemi
ชุด	SuperFET™
บรรจุภัณฑ์	ท่อ
สถานะผลิตภัณฑ์	ทำงาน
ประเภท FET	N-ช่องสัญญาณ
เทคโนโลยี	MOSFET (ออกไซด์โลหะ)
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss)	650 V
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C	11A (Tc)
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs	380mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id	5V @ 250µA
เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs	52 nC @ 10 V
ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds	1490 pF @ 25 V
คุณสมบัติของ FET	-
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด)	36W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน	-
เกรด	-
คุณสมบัติ	-
ประเภทการติดตั้ง	ทรูโฮล
บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์	TO-220F-3
บรรจุภัณฑ์ / เคส	TO-220-3 ชุดเต็ม
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน	FCPF11