FDB031N08 onsemi | ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน

FDB031N08
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	FDB031N08TR-ND - เทปและม้วน (TR) FDB031N08CT-ND - เทปตัดขาย (CT) FDB031N08DKR-ND - Digi-Reel®
ผู้ผลิต	onsemi
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	FDB031N08
คำอธิบาย	MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	N-ช่องสัญญาณ 75 V 120A (Tc) 375W (Tc) ติดบนพื้นผิว TO-263 (D2PAK)
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล

ประเภท	คำอธิบาย	เลือกทั้งหมด
หมวดหมู่	ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET เดี่ยว, MOSFET
Mfr	onsemi
ชุด	PowerTrench®
บรรจุภัณฑ์	เทปและม้วน (TR) เทปตัดขาย (CT) Digi-Reel®
สถานะผลิตภัณฑ์	เลิกผลิต
ประเภท FET	N-ช่องสัญญาณ
เทคโนโลยี	MOSFET (ออกไซด์โลหะ)
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss)	75 V
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C	120A (Tc)
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด)	10V
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs	3.1mOhm @ 75A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id	4.5V @ 250µA
เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs	220 nC @ 10 V
Vgs (สูงสุด)	±20V
ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds	15160 pF @ 25 V
คุณสมบัติของ FET	-
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด)	375W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน	-55°C ~ 175°C (TJ)
เกรด	-
คุณสมบัติ	-
ประเภทการติดตั้ง	ติดบนพื้นผิว
บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์	TO-263 (D2PAK)
บรรจุภัณฑ์ / เคส	TO-263-3, D2PAK (2 ตัวนำ + แท็บ), TO-263AB
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน	FDB031