Name: FDC658P
Brand: onsemi
SKU: FDC658PTR-ND
Price: 42.03 THB
Availability: InStock

P-ช่องสัญญาณ 30 V 4A (Ta) 1.6W (Ta) ติดบนพื้นผิว SuperSOT™-6

ภาพที่ปรากฏเป็นเพียงภาพตัวอย่างเท่านั้น ควรขอข้อมูลจำเพาะที่แน่นอนจากเอกสารข้อมูลผลิตภัณฑ์

FDC658P
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	FDC658PTR-ND - เทปและม้วน (TR) FDC658PCT-ND - เทปตัดขาย (CT) FDC658PDKR-ND - Digi-Reel®
ผู้ผลิต	onsemi
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	FDC658P
คำอธิบาย	MOSFET P-CH 30V 4A SUPERSOT6
ระยะเวลาจัดส่งมาตรฐานของผู้ผลิต	13 สัปดาห์
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	P-ช่องสัญญาณ 30 V 4A (Ta) 1.6W (Ta) ติดบนพื้นผิว SuperSOT™-6
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล
โมเดล EDA/CAD	FDC658P รุ่น

คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

กรองผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกัน

แสดงแอตทริบิวต์ที่ว่างเปล่า

หมวดหมู่ ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET เดี่ยว, MOSFET	Vgs (th) (สูงสุด) @ Id 3V @ 250µA
Mfr onsemi	เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs 12 nC @ 5 V
ชุด PowerTrench®	Vgs (สูงสุด) ±20V
บรรจุภัณฑ์ เทปและม้วน (TR) เทปตัดขาย (CT) Digi-Reel®	ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds 750 pF @ 15 V
สถานะผลิตภัณฑ์ ทำงาน	กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) 1.6W (Ta)
ประเภท FET P-ช่องสัญญาณ	อุณหภูมิในการทำงาน -55°C ~ 150°C (TJ)
เทคโนโลยี MOSFET (ออกไซด์โลหะ)	ประเภทการติดตั้ง ติดบนพื้นผิว
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss) 30 V	บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์ SuperSOT™-6
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C 4A (Ta)	บรรจุภัณฑ์ / เคส SOT-23-6 บาง, TSOT-23-6
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด) 10V	หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน FDC658
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs 50mOhm @ 4A, 10V