FDD8647L onsemi | FET เดี่ยว, MOSFET

N-ช่องสัญญาณ 40 V 14A (Ta), 42A (Tc) 3.1W (Ta), 43W (Tc) ติดบนพื้นผิว TO-252AA

ภาพที่ปรากฏเป็นเพียงภาพตัวอย่างเท่านั้น ควรขอข้อมูลจำเพาะที่แน่นอนจากเอกสารข้อมูลผลิตภัณฑ์

FDD8647L
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	FDD8647LTR-ND - เทปและม้วน (TR) FDD8647LCT-ND - เทปตัดขาย (CT) FDD8647LDKR-ND - Digi-Reel®
ผู้ผลิต	onsemi
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	FDD8647L
คำอธิบาย	MOSFET N-CH 40V 14A/42A DPAK
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	N-ช่องสัญญาณ 40 V 14A (Ta), 42A (Tc) 3.1W (Ta), 43W (Tc) ติดบนพื้นผิว TO-252AA
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล
โมเดล EDA/CAD	FDD8647L รุ่น

คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ประเภท	คำอธิบาย	เลือกทั้งหมด
หมวดหมู่	ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET เดี่ยว, MOSFET
Mfr	onsemi
ชุด	PowerTrench®
บรรจุภัณฑ์	เทปและม้วน (TR) เทปตัดขาย (CT) Digi-Reel®
สถานะผลิตภัณฑ์	เลิกผลิต
ประเภท FET	N-ช่องสัญญาณ
เทคโนโลยี	MOSFET (ออกไซด์โลหะ)
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss)	40 V
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C	14A (Ta), 42A (Tc)
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด)	4.5V, 10V
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs	9mOhm @ 13A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id	3V @ 250µA
เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs	28 nC @ 10 V
Vgs (สูงสุด)	±20V
ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds	1640 pF @ 20 V
คุณสมบัติของ FET	-
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด)	3.1W (Ta), 43W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน	-55°C ~ 150°C (TJ)
เกรด	-
คุณสมบัติ	-
ประเภทการติดตั้ง	ติดบนพื้นผิว
บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์	TO-252AA
บรรจุภัณฑ์ / เคส	TO-252-3, DPAK (2 ตัวนำ + แท็บ), SC-63
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน	FDD8647