FDMS8020 onsemi | FET เดี่ยว, MOSFET

N-ช่องสัญญาณ 30 V 26A (Ta), 42A (Tc) 2.5W (Ta), 65W (Tc) ติดบนพื้นผิว 8-PQFN (5x6)

ภาพที่ปรากฏเป็นเพียงภาพตัวอย่างเท่านั้น ควรขอข้อมูลจำเพาะที่แน่นอนจากเอกสารข้อมูลผลิตภัณฑ์

FDMS8020
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	FDMS8020TR-ND - เทปและม้วน (TR)
ผู้ผลิต	onsemi
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	FDMS8020
คำอธิบาย	MOSFET N-CH 30V 26A/42A 8PQFN
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	N-ช่องสัญญาณ 30 V 26A (Ta), 42A (Tc) 2.5W (Ta), 65W (Tc) ติดบนพื้นผิว 8-PQFN (5x6)
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล

คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

กรองผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกัน

แสดงแอตทริบิวต์ที่ว่างเปล่า

หมวดหมู่ ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET เดี่ยว, MOSFET	Vgs (th) (สูงสุด) @ Id 3V @ 250µA
Mfr onsemi	เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs 61 nC @ 10 V
ชุด PowerTrench®	Vgs (สูงสุด) ±20V
บรรจุภัณฑ์ เทปและม้วน (TR)	ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds 3800 pF @ 15 V
สถานะผลิตภัณฑ์ เลิกผลิต	กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) 2.5W (Ta), 65W (Tc)
ประเภท FET N-ช่องสัญญาณ	อุณหภูมิในการทำงาน -55°C ~ 150°C (TJ)
เทคโนโลยี MOSFET (ออกไซด์โลหะ)	ประเภทการติดตั้ง ติดบนพื้นผิว
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss) 30 V	บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์ 8-PQFN (5x6)
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C 26A (Ta), 42A (Tc)	บรรจุภัณฑ์ / เคส 8-PowerTDFN
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด) 4.5V, 10V	หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน FDMS80
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs 2.5mOhm @ 26A, 10V

รายงานข้อมูลสินค้าผิดพลาด

เอกสารและสื่อ

การจำแนกประเภทสิ่งแวดล้อมและการส่งออก

แหล่งข้อมูลเพิ่มเติม

ผลิตภัณฑ์ทดแทน (7)

หมายเลขผลิตภัณฑ์	ผู้ผลิต	จำนวนที่มีอยู่	หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	ราคาต่อหน่วย	ประเภทสินค้าทดแทน
BSC0901NSATMA1	Infineon Technologies	25,276	BSC0901NSATMA1CT-ND	฿52.37000	Similar
BSZ0901NSIATMA1	Infineon Technologies	6,724	BSZ0901NSIATMA1CT-ND	฿69.51000	Similar
CSD17575Q3T	Texas Instruments	4,243	296-37961-1-ND	฿69.19000	Similar
CSD17576Q5B	Texas Instruments	3,384	296-43635-1-ND	฿64.34000	Similar
CSD17576Q5BT	Texas Instruments	814	296-CSD17576Q5BTCT-ND	฿77.59000	Similar