Name: FDN358P
Brand: onsemi
SKU: FDN358PTR-ND
Price: 26.51 THB
Availability: InStock

P-ช่องสัญญาณ 30 V 1.5A (Ta) 500mW (Ta) ติดบนพื้นผิว SOT-23-3

ภาพที่ปรากฏเป็นเพียงภาพตัวอย่างเท่านั้น ควรขอข้อมูลจำเพาะที่แน่นอนจากเอกสารข้อมูลผลิตภัณฑ์

FDN358P
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	FDN358PTR-ND - เทปและม้วน (TR) FDN358PCT-ND - เทปตัดขาย (CT) FDN358PDKR-ND - Digi-Reel®
ผู้ผลิต	onsemi
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	FDN358P
คำอธิบาย	MOSFET P-CH 30V 1.5A SUPERSOT3
ระยะเวลาจัดส่งมาตรฐานของผู้ผลิต	18 สัปดาห์
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	P-ช่องสัญญาณ 30 V 1.5A (Ta) 500mW (Ta) ติดบนพื้นผิว SOT-23-3
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล
โมเดล EDA/CAD	FDN358P รุ่น

คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

กรองผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกัน

แสดงแอตทริบิวต์ที่ว่างเปล่า

หมวดหมู่ ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET เดี่ยว, MOSFET	Vgs (th) (สูงสุด) @ Id 3V @ 250µA
Mfr onsemi	เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs 5.6 nC @ 10 V
ชุด PowerTrench®	Vgs (สูงสุด) ±20V
บรรจุภัณฑ์ เทปและม้วน (TR) เทปตัดขาย (CT) Digi-Reel®	ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds 182 pF @ 15 V
สถานะผลิตภัณฑ์ ทำงาน	กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) 500mW (Ta)
ประเภท FET P-ช่องสัญญาณ	อุณหภูมิในการทำงาน -55°C ~ 150°C (TJ)
เทคโนโลยี MOSFET (ออกไซด์โลหะ)	ประเภทการติดตั้ง ติดบนพื้นผิว
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss) 30 V	บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์ SOT-23-3
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C 1.5A (Ta)	บรรจุภัณฑ์ / เคส TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด) 4.5V, 10V	หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน FDN358
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs 125mOhm @ 1.5A, 10V