FDS3512 onsemi | FET เดี่ยว, MOSFET

N-ช่องสัญญาณ 80 V 4A (Ta) 2.5W (Ta) ติดบนพื้นผิว 8-SOIC

ภาพที่ปรากฏเป็นเพียงภาพตัวอย่างเท่านั้น ควรขอข้อมูลจำเพาะที่แน่นอนจากเอกสารข้อมูลผลิตภัณฑ์

FDS3512
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	FDS3512TR-ND - เทปและม้วน (TR)
ผู้ผลิต	onsemi
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	FDS3512
คำอธิบาย	MOSFET N-CH 80V 4A 8SOIC
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	N-ช่องสัญญาณ 80 V 4A (Ta) 2.5W (Ta) ติดบนพื้นผิว 8-SOIC
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล

คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

กรองผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกัน

แสดงแอตทริบิวต์ที่ว่างเปล่า

หมวดหมู่ ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET เดี่ยว, MOSFET	Vgs (th) (สูงสุด) @ Id 4V @ 250µA
Mfr onsemi	เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs 18 nC @ 10 V
ชุด PowerTrench®	Vgs (สูงสุด) ±20V
บรรจุภัณฑ์ เทปและม้วน (TR)	ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds 634 pF @ 40 V
สถานะผลิตภัณฑ์ เลิกผลิต	กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) 2.5W (Ta)
ประเภท FET N-ช่องสัญญาณ	อุณหภูมิในการทำงาน -55°C ~ 175°C (TJ)
เทคโนโลยี MOSFET (ออกไซด์โลหะ)	ประเภทการติดตั้ง ติดบนพื้นผิว
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss) 80 V	บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์ 8-SOIC
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C 4A (Ta)	บรรจุภัณฑ์ / เคส 8-SOIC (0.154", ความกว้าง 3.90mm)
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด) 6V, 10V	หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน FDS35
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs 70mOhm @ 4A, 10V

รายงานข้อมูลสินค้าผิดพลาด

เอกสารและสื่อ

การจำแนกประเภทสิ่งแวดล้อมและการส่งออก

แหล่งข้อมูลเพิ่มเติม

ผลิตภัณฑ์ทดแทน (2)

หมายเลขผลิตภัณฑ์	ผู้ผลิต	จำนวนที่มีอยู่	หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	ราคาต่อหน่วย	ประเภทสินค้าทดแทน
FDS3590	onsemi	2,485	FDS3590CT-ND	฿51.73000	MFR ที่แนะนำ
RS6N120BHTB1	Rohm Semiconductor	2,504	846-RS6N120BHTB1CT-ND	฿125.44000	Similar

เลิกผลิตแล้ว

สินค้านี้ไม่มีการผลิตแล้ว ดู สินค้าที่ใช้แทนกันได้

ตัวเลือกการซื้ออื่น

3,894มีอยู่ในสต็อค

ตัวเลือกการซื้อ

FDS3512

ตัวเลือกการซื้ออื่น

ติดตามเรา

ข้อมูล

การติดต่อและการสนับสนุน