FDS6670A onsemi | FET เดี่ยว, MOSFET

N-ช่องสัญญาณ 30 V 13A (Ta) 2.5W (Ta) ติดบนพื้นผิว 8-SOIC

ภาพที่ปรากฏเป็นเพียงภาพตัวอย่างเท่านั้น ควรขอข้อมูลจำเพาะที่แน่นอนจากเอกสารข้อมูลผลิตภัณฑ์

FDS6670A
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	FDS6670ATR-ND - เทปและม้วน (TR) FDS6670ACT-ND - เทปตัดขาย (CT) FDS6670ADKR-ND - Digi-Reel®
ผู้ผลิต	onsemi
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	FDS6670A
คำอธิบาย	MOSFET N-CH 30V 13A 8SOIC
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	N-ช่องสัญญาณ 30 V 13A (Ta) 2.5W (Ta) ติดบนพื้นผิว 8-SOIC
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล
โมเดล EDA/CAD	FDS6670A รุ่น

คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

กรองผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกัน

แสดงแอตทริบิวต์ที่ว่างเปล่า

หมวดหมู่ ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET เดี่ยว, MOSFET	Vgs (th) (สูงสุด) @ Id 3V @ 250µA
Mfr onsemi	เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs 30 nC @ 5 V
ชุด PowerTrench®	Vgs (สูงสุด) ±20V
บรรจุภัณฑ์ เทปและม้วน (TR) เทปตัดขาย (CT) Digi-Reel®	ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds 2220 pF @ 15 V
สถานะผลิตภัณฑ์ เลิกผลิต	กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) 2.5W (Ta)
ประเภท FET N-ช่องสัญญาณ	อุณหภูมิในการทำงาน -55°C ~ 155°C (TJ)
เทคโนโลยี MOSFET (ออกไซด์โลหะ)	ประเภทการติดตั้ง ติดบนพื้นผิว
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss) 30 V	บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์ 8-SOIC
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C 13A (Ta)	บรรจุภัณฑ์ / เคส 8-SOIC (0.154", ความกว้าง 3.90mm)
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด) 4.5V, 10V	หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน FDS6670
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs 8mOhm @ 13A, 10V

รายงานข้อมูลสินค้าผิดพลาด

เอกสารและสื่อ

การจำแนกประเภทสิ่งแวดล้อมและการส่งออก

แหล่งข้อมูลเพิ่มเติม

ผลิตภัณฑ์ทดแทน (3)

หมายเลขผลิตภัณฑ์	ผู้ผลิต	จำนวนที่มีอยู่	หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	ราคาต่อหน่วย	ประเภทสินค้าทดแทน
FDS8896	onsemi	7,342	FDS8896CT-ND	฿41.38000	Similar
AO4476A	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	83,644	785-1201-1-ND	฿38.80000	Similar
DMN3010LSS-13	Diodes Incorporated	1,879	31-DMN3010LSS-13CT-ND	฿38.80000	Similar