FDS6875 onsemi | FET, MOSFET อาเรย์

FDS6875 ตกรุ่นและไม่มีการผลิตอีกต่อไป

ผลิตภัณฑ์ทดแทนที่มีอยู่:

Similar

NTMD6P02R2G

onsemi

มีอยู่ในสต็อค: 0

ราคาต่อหน่วย : ฿63.15000

เอกสารข้อมูล

ดูและเปรียบเทียบผลิตภัณฑ์ทดแทนทั้งหมด

mosfet อาร์เรย์ 20V 6A 900mW ติดบนพื้นผิว 8-SOIC

ภาพที่ปรากฏเป็นเพียงภาพตัวอย่างเท่านั้น ควรขอข้อมูลจำเพาะที่แน่นอนจากเอกสารข้อมูลผลิตภัณฑ์

FDS6875
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	FDS6875TR-ND - เทปและม้วน (TR) FDS6875CT-ND - เทปตัดขาย (CT) FDS6875DKR-ND - Digi-Reel®
ผู้ผลิต	onsemi
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	FDS6875
คำอธิบาย	MOSFET 2P-CH 20V 6A 8SOIC
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	mosfet อาร์เรย์ 20V 6A 900mW ติดบนพื้นผิว 8-SOIC
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล

คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

กรองผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกัน

หมวดหมู่ ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET, MOSFET อาเรย์	Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs 30mOhm @ 6A, 4.5V
ผู้ผลิต onsemi	Vgs (th) (สูงสุด) @ Id 1.5V @ 250µA
ชุด PowerTrench®	เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs 31nC @ 5V
บรรจุภัณฑ์ เทปและม้วน (TR) เทปตัดขาย (CT) Digi-Reel®	ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds 2250pF @ 10V
สถานะผลิตภัณฑ์ เลิกผลิต	พลังงาน - สูงสุด 900mW
เทคโนโลยี MOSFET (ออกไซด์โลหะ)	อุณหภูมิในการทำงาน -55°C ~ 150°C (TJ)
การตั้งค่า 2 P-ช่องสัญญาณ (คู่)	ประเภทการติดตั้ง ติดบนพื้นผิว
คุณสมบัติของ FET เกทระดับลอจิก	บรรจุภัณฑ์ / เคส 8-SOIC (0.154", ความกว้าง 3.90mm)
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss) 20V	บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์ 8-SOIC
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C 6A	หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน FDS68