FDS8880 onsemi | FET เดี่ยว, MOSFET

N-ช่องสัญญาณ 30 V 11.6A (Ta) 2.5W (Ta) ติดบนพื้นผิว 8-SOIC

ภาพที่ปรากฏเป็นเพียงภาพตัวอย่างเท่านั้น ควรขอข้อมูลจำเพาะที่แน่นอนจากเอกสารข้อมูลผลิตภัณฑ์

FDS8880
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	FDS8880TR-ND - เทปและม้วน (TR) FDS8880CT-ND - เทปตัดขาย (CT) FDS8880DKR-ND - Digi-Reel®
ผู้ผลิต	onsemi
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	FDS8880
คำอธิบาย	MOSFET N-CH 30V 11.6A 8SOIC
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	N-ช่องสัญญาณ 30 V 11.6A (Ta) 2.5W (Ta) ติดบนพื้นผิว 8-SOIC
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล

คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

กรองผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกัน

แสดงแอตทริบิวต์ที่ว่างเปล่า

หมวดหมู่ ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET เดี่ยว, MOSFET	Vgs (th) (สูงสุด) @ Id 2.5V @ 250µA
Mfr onsemi	เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs 30 nC @ 10 V
ชุด PowerTrench®	Vgs (สูงสุด) ±20V
บรรจุภัณฑ์ เทปและม้วน (TR) เทปตัดขาย (CT) Digi-Reel®	ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds 1235 pF @ 15 V
สถานะผลิตภัณฑ์ เลิกผลิต	กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) 2.5W (Ta)
ประเภท FET N-ช่องสัญญาณ	อุณหภูมิในการทำงาน -55°C ~ 150°C (TJ)
เทคโนโลยี MOSFET (ออกไซด์โลหะ)	ประเภทการติดตั้ง ติดบนพื้นผิว
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss) 30 V	บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์ 8-SOIC
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C 11.6A (Ta)	บรรจุภัณฑ์ / เคส 8-SOIC (0.154", ความกว้าง 3.90mm)
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด) 4.5V, 10V	หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน FDS88
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs 10mOhm @ 11.6A, 10V

รายงานข้อมูลสินค้าผิดพลาด

เอกสารและสื่อ

การจำแนกประเภทสิ่งแวดล้อมและการส่งออก

แหล่งข้อมูลเพิ่มเติม

ผลิตภัณฑ์ทดแทน (6)

หมายเลขผลิตภัณฑ์	ผู้ผลิต	จำนวนที่มีอยู่	หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	ราคาต่อหน่วย	ประเภทสินค้าทดแทน
BSO110N03MSGXUMA1	Infineon Technologies	176	BSO110N03MSGXUMA1CT-ND	฿38.80000	Similar
CSD16410Q5A	Texas Instruments	4,839	296-24254-1-ND	฿45.26000	Similar
DMN3011LSS-13	Diodes Incorporated	0	31-DMN3011LSS-13CT-ND	฿10.99000	Similar
IRF8714TRPBF	Infineon Technologies	27,722	IRF8714TRPBFCT-ND	฿31.04000	Similar
PJL9410_R2_00001	Panjit International Inc.	2,391	3757-PJL9410_R2_00001CT-ND	฿21.66000	Similar