FJV4107RMTF onsemi | ทรานซิสเตอร์แบบไบโพลาร์แบบเดี่ยวและแบบไบโพลาร์

ผลิตภัณฑ์
กลับ
ผู้ผลิต
กลับ
แหล่งข้อมูล
กลับ
กลับ
กลับ
- โปรแกรมและการบริการ
- ระบบอัตโนมัติและการควบคุม
- บริการออกแบบและบูรณาการ
- โซลูชั่นดิจิทัล
- โซลูชัน IoT
- การติดตามสินค้า
- บริการผลิตภัณฑ์
กลับ
- การซื้อ
- เครื่องมือ
- My Lists
- ใบเสนอราคา
- ผลิตภัณฑ์
- ผู้ผลิต
ขอใบเสนอราคา

FJV4107RMTF
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	FJV4107RMTF-ND - เทปและม้วน (TR)
ผู้ผลิต	onsemi
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	FJV4107RMTF
คำอธิบาย	TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	ทรานซิสเตอร์แบบ pre-biased bipolar (bjt) PNP - พรีไบแอส 50 V 100 mA 200 MHz 200 mW ติดบนพื้นผิว SOT-23-3
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล
โมเดล EDA/CAD	FJV4107RMTF รุ่น

ประเภท	คำอธิบาย	เลือกทั้งหมด
หมวดหมู่	ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ สองขั้ว (BJT) ทรานซิสเตอร์แบบไบโพลาร์แบบเดี่ยวและแบบไบโพลาร์
ผู้ผลิต	onsemi
ชุด	-
บรรจุภัณฑ์	เทปและม้วน (TR)
สถานะผลิตภัณฑ์	เลิกผลิต
ประเภททรานซิสเตอร์	PNP - พรีไบแอส
กระแสไฟฟ้า - คอลเลคเตอร์ (Ic) (สูงสุด)	100 mA
แรงดันไฟฟ้า - พังทลายระหว่างอิมิเตอร์และคอลเลคเตอร์ (สูงสุด)	50 V
รวมตัวต้านทานแล้ว	R1 และ R2
ตัวต้านทาน - เบส (R1)	22 kOhms
ตัวต้านทาน - ระหว่างอิมิเตอร์และเบส (R2)	47 kOhms
เกนกระแสไฟฟ้า DC (hFE) (ต่ำสุด) @ Ic, Vce	68 @ 5mA, 5V
Vce อิ่มตัว (สูงสุด) @ Ib, Ic	300mV @ 500µA, 10mA
กระแสไฟฟ้า - คอลเลคเตอร์คัตออฟ (สูงสุด)	100nA (ICBO)
ความถี่ - การเปลี่ยน	200 MHz
พลังงาน - สูงสุด	200 mW
ประเภทการติดตั้ง	ติดบนพื้นผิว
บรรจุภัณฑ์ / เคส	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์	SOT-23-3
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน	FJV410

FJV4107RMTF

ติดตามเรา

ข้อมูล

การติดต่อและการสนับสนุน