Name: FQB22P10TM
Brand: onsemi
SKU: FQB22P10TMTR-ND
Price: 94.73 THB
Availability: InStock

P-ช่องสัญญาณ 100 V 22A (Tc) 3.75W (Ta), 125W (Tc) ติดบนพื้นผิว TO-263 (D2PAK)

ภาพที่ปรากฏเป็นเพียงภาพตัวอย่างเท่านั้น ควรขอข้อมูลจำเพาะที่แน่นอนจากเอกสารข้อมูลผลิตภัณฑ์

FQB22P10TM
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	FQB22P10TMTR-ND - เทปและม้วน (TR) FQB22P10TMCT-ND - เทปตัดขาย (CT) FQB22P10TMDKR-ND - Digi-Reel®
ผู้ผลิต	onsemi
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	FQB22P10TM
คำอธิบาย	MOSFET P-CH 100V 22A D2PAK
ระยะเวลาจัดส่งมาตรฐานของผู้ผลิต	10 สัปดาห์
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	P-ช่องสัญญาณ 100 V 22A (Tc) 3.75W (Ta), 125W (Tc) ติดบนพื้นผิว TO-263 (D2PAK)
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล

คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

กรองผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกัน

แสดงแอตทริบิวต์ที่ว่างเปล่า

หมวดหมู่ ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET เดี่ยว, MOSFET	Vgs (th) (สูงสุด) @ Id 4V @ 250µA
Mfr onsemi	เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs 50 nC @ 10 V
ชุด QFET®	Vgs (สูงสุด) ±30V
บรรจุภัณฑ์ เทปและม้วน (TR) เทปตัดขาย (CT) Digi-Reel®	ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds 1500 pF @ 25 V
สถานะผลิตภัณฑ์ ทำงาน	กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) 3.75W (Ta), 125W (Tc)
ประเภท FET P-ช่องสัญญาณ	อุณหภูมิในการทำงาน -55°C ~ 175°C (TJ)
เทคโนโลยี MOSFET (ออกไซด์โลหะ)	ประเภทการติดตั้ง ติดบนพื้นผิว
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss) 100 V	บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์ TO-263 (D2PAK)
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C 22A (Tc)	บรรจุภัณฑ์ / เคส TO-263-3, D2PAK (2 ตัวนำ + แท็บ), TO-263AB
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด) 10V	หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน FQB22P10
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs 125mOhm @ 11A, 10V