FQB50N06TM ตกรุ่นและไม่มีการผลิตอีกต่อไป
ผลิตภัณฑ์ทดแทนที่มีอยู่:

Similar


onsemi
มีอยู่ในสต็อค: 525
ราคาต่อหน่วย : ฿123.04000
เอกสารข้อมูล

Similar


Infineon Technologies
มีอยู่ในสต็อค: 6,727
ราคาต่อหน่วย : ฿78.45000
เอกสารข้อมูล

Similar


Infineon Technologies
มีอยู่ในสต็อค: 12,693
ราคาต่อหน่วย : ฿84.96000
เอกสารข้อมูล

Similar


Vishay Siliconix
มีอยู่ในสต็อค: 0
ราคาต่อหน่วย : ฿121.41000
เอกสารข้อมูล

Similar


Vishay Siliconix
มีอยู่ในสต็อค: 0
ราคาต่อหน่วย : ฿121.41000
เอกสารข้อมูล

Similar


Vishay Siliconix
มีอยู่ในสต็อค: 142
ราคาต่อหน่วย : ฿159.17000
เอกสารข้อมูล

Similar


Vishay Siliconix
มีอยู่ในสต็อค: 653
ราคาต่อหน่วย : ฿95.37000
เอกสารข้อมูล

Similar


Vishay Siliconix
มีอยู่ในสต็อค: 776
ราคาต่อหน่วย : ฿140.62000
เอกสารข้อมูล

Similar


Vishay Siliconix
มีอยู่ในสต็อค: 21
ราคาต่อหน่วย : ฿140.62000
เอกสารข้อมูล

Similar


Nexperia USA Inc.
มีอยู่ในสต็อค: 73
ราคาต่อหน่วย : ฿133.78000
เอกสารข้อมูล

Similar


Nexperia USA Inc.
มีอยู่ในสต็อค: 16,381
ราคาต่อหน่วย : ฿70.96000
เอกสารข้อมูล

Similar


Vishay Siliconix
มีอยู่ในสต็อค: 0
ราคาต่อหน่วย : ฿35.48992
เอกสารข้อมูล

Similar


Vishay Siliconix
มีอยู่ในสต็อค: 1,000
ราคาต่อหน่วย : ฿102.21000
เอกสารข้อมูล

Similar


Vishay Siliconix
มีอยู่ในสต็อค: 0
ราคาต่อหน่วย : ฿29.87569
เอกสารข้อมูล
N-ช่องสัญญาณ 60 V 50A (Tc) 3.75W (Ta), 120W (Tc) ติดบนพื้นผิว TO-263 (D2PAK)
ภาพที่ปรากฏเป็นเพียงภาพตัวอย่างเท่านั้น ควรขอข้อมูลจำเพาะที่แน่นอนจากเอกสารข้อมูลผลิตภัณฑ์
N-ช่องสัญญาณ 60 V 50A (Tc) 3.75W (Ta), 120W (Tc) ติดบนพื้นผิว TO-263 (D2PAK)
TO-263

FQB50N06TM

หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey
FQB50N06TMFSTR-ND - เทปและม้วน (TR)
ผู้ผลิต
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต
FQB50N06TM
คำอธิบาย
MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด
N-ช่องสัญญาณ 60 V 50A (Tc) 3.75W (Ta), 120W (Tc) ติดบนพื้นผิว TO-263 (D2PAK)
เอกสารข้อมูล
 เอกสารข้อมูล
คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์
กรองผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกัน
แสดงแอตทริบิวต์ที่ว่างเปล่า
หมวดหมู่
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id
4V @ 250µA
Mfr
เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs
41 nC @ 10 V
ชุด
Vgs (สูงสุด)
±25V
บรรจุภัณฑ์
เทปและม้วน (TR)
ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds
1540 pF @ 25 V
สถานะผลิตภัณฑ์
เลิกผลิต
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด)
3.75W (Ta), 120W (Tc)
ประเภท FET
อุณหภูมิในการทำงาน
-55°C ~ 175°C (TJ)
เทคโนโลยี
ประเภทการติดตั้ง
ติดบนพื้นผิว
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss)
60 V
บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์
TO-263 (D2PAK)
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C
บรรจุภัณฑ์ / เคส
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด)
10V
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs
22mOhm @ 25A, 10V
การจำแนกประเภทสิ่งแวดล้อมและการส่งออก
คำถามและคำตอบเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์
แหล่งข้อมูลเพิ่มเติม
ผลิตภัณฑ์ทดแทน (21)
หมายเลขผลิตภัณฑ์ผู้ผลิต จำนวนที่มีอยู่หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey ราคาต่อหน่วย ประเภทสินค้าทดแทน
HUF75545S3STonsemi525HUF75545S3STCT-ND฿123.04000Similar
IRFS3806TRLPBFInfineon Technologies6,727IRFS3806TRLPBFCT-ND฿78.45000Similar
IRFZ44NSTRLPBFInfineon Technologies12,693IRFZ44NSTRLPBFCT-ND฿84.96000Similar
IRFZ44SPBFVishay Siliconix0IRFZ44SPBF-ND฿121.41000Similar
IRFZ44STRLPBFVishay Siliconix0742-IRFZ44STRLPBFCT-ND฿121.41000Similar
เลิกผลิตแล้ว
สินค้านี้ไม่มีการผลิตแล้ว ดู สินค้าที่ใช้แทนกันได้