FQD4N20TM ตกรุ่นและไม่มีการผลิตอีกต่อไป
ผลิตภัณฑ์ทดแทนที่มีอยู่:

Similar


Vishay Siliconix
มีอยู่ในสต็อค: 12,416
ราคาต่อหน่วย : ฿62.40000
เอกสารข้อมูล

Similar


Vishay Siliconix
มีอยู่ในสต็อค: 4,371
ราคาต่อหน่วย : ฿62.40000
เอกสารข้อมูล

Similar


Vishay Siliconix
มีอยู่ในสต็อค: 283
ราคาต่อหน่วย : ฿66.92000
เอกสารข้อมูล

Similar


Vishay Siliconix
มีอยู่ในสต็อค: 0
ราคาต่อหน่วย : ฿62.40000
เอกสารข้อมูล
N-ช่องสัญญาณ 200 V 3A (Tc) 2.5W (Ta), 30W (Tc) ติดบนพื้นผิว TO-252AA
ภาพที่ปรากฏเป็นเพียงภาพตัวอย่างเท่านั้น ควรขอข้อมูลจำเพาะที่แน่นอนจากเอกสารข้อมูลผลิตภัณฑ์
N-ช่องสัญญาณ 200 V 3A (Tc) 2.5W (Ta), 30W (Tc) ติดบนพื้นผิว TO-252AA
TO-252AA

FQD4N20TM

หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey
FQD4N20TMFSTR-ND - เทปและม้วน (TR)
ผู้ผลิต
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต
FQD4N20TM
คำอธิบาย
MOSFET N-CH 200V 3A DPAK
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด
N-ช่องสัญญาณ 200 V 3A (Tc) 2.5W (Ta), 30W (Tc) ติดบนพื้นผิว TO-252AA
เอกสารข้อมูล
 เอกสารข้อมูล
โมเดล EDA/CAD
FQD4N20TM รุ่น
คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์
ประเภท
คำอธิบาย
เลือกทั้งหมด
หมวดหมู่
Mfr
ชุด
บรรจุภัณฑ์
เทปและม้วน (TR)
สถานะผลิตภัณฑ์
เลิกผลิต
ประเภท FET
เทคโนโลยี
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss)
200 V
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด)
10V
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs
1.4Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id
5V @ 250µA
เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs
6.5 nC @ 10 V
Vgs (สูงสุด)
±30V
ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds
220 pF @ 25 V
คุณสมบัติของ FET
-
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด)
2.5W (Ta), 30W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน
-55°C ~ 150°C (TJ)
เกรด
-
คุณสมบัติ
-
ประเภทการติดตั้ง
ติดบนพื้นผิว
บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์
TO-252AA
บรรจุภัณฑ์ / เคส
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน
คำถามและคำตอบเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์

ดูว่าวิศวกรคนอื่นกำลังถามอะไร ถามคำถามของคุณเอง หรือช่วยตอบคำถามให้กับสมาชิกในชุมชนวิศวกรรมของ DigiKey

เลิกผลิตแล้ว
สต็อก Marketplace: 90,000 ดูตอนนี้
สินค้านี้ไม่มีการผลิตแล้ว ดู สินค้าที่ใช้แทนกันได้

Other Suppliers on DigiKey

90,000มีอยู่ในสต็อค
จัดส่งจาก Flip Electronics