Name: FQD8P10TM
Brand: onsemi
SKU: FQD8P10TMTR-ND
Price: 41.71 THB
Availability: InStock

P-ช่องสัญญาณ 100 V 6.6A (Tc) 2.5W (Ta), 44W (Tc) ติดบนพื้นผิว TO-252AA

ภาพที่ปรากฏเป็นเพียงภาพตัวอย่างเท่านั้น ควรขอข้อมูลจำเพาะที่แน่นอนจากเอกสารข้อมูลผลิตภัณฑ์

FQD8P10TM
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	FQD8P10TMTR-ND - เทปและม้วน (TR) FQD8P10TMCT-ND - เทปตัดขาย (CT) FQD8P10TMDKR-ND - Digi-Reel®
ผู้ผลิต	onsemi
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	FQD8P10TM
คำอธิบาย	MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK
ระยะเวลาจัดส่งมาตรฐานของผู้ผลิต	10 สัปดาห์
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	P-ช่องสัญญาณ 100 V 6.6A (Tc) 2.5W (Ta), 44W (Tc) ติดบนพื้นผิว TO-252AA
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล

คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

กรองผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกัน

แสดงแอตทริบิวต์ที่ว่างเปล่า

หมวดหมู่ ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET เดี่ยว, MOSFET	Vgs (th) (สูงสุด) @ Id 4V @ 250µA
Mfr onsemi	เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs 15 nC @ 10 V
ชุด QFET®	Vgs (สูงสุด) ±30V
บรรจุภัณฑ์ เทปและม้วน (TR) เทปตัดขาย (CT) Digi-Reel®	ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds 470 pF @ 25 V
สถานะผลิตภัณฑ์ ทำงาน	กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) 2.5W (Ta), 44W (Tc)
ประเภท FET P-ช่องสัญญาณ	อุณหภูมิในการทำงาน -55°C ~ 150°C (TJ)
เทคโนโลยี MOSFET (ออกไซด์โลหะ)	ประเภทการติดตั้ง ติดบนพื้นผิว
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss) 100 V	บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์ TO-252AA
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C 6.6A (Tc)	บรรจุภัณฑ์ / เคส TO-252-3, DPAK (2 ตัวนำ + แท็บ), SC-63
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด) 10V	หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน FQD8P10
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs 530mOhm @ 3.3A, 10V