MCH3376-TL-E onsemi | FET เดี่ยว, MOSFET

P-ช่องสัญญาณ 20 V 1.5A (Ta) 800mW (Ta) ติดบนพื้นผิว 3-MCPH

ภาพที่ปรากฏเป็นเพียงภาพตัวอย่างเท่านั้น ควรขอข้อมูลจำเพาะที่แน่นอนจากเอกสารข้อมูลผลิตภัณฑ์

MCH3376-TL-E
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	MCH3376-TL-E-ND - เทปและม้วน (TR)
ผู้ผลิต	onsemi
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	MCH3376-TL-E
คำอธิบาย	MOSFET P-CH 20V 1.5A 3MCPH
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	P-ช่องสัญญาณ 20 V 1.5A (Ta) 800mW (Ta) ติดบนพื้นผิว 3-MCPH
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล
โมเดล EDA/CAD	MCH3376-TL-E รุ่น

คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ประเภท	คำอธิบาย	เลือกทั้งหมด
หมวดหมู่	ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET เดี่ยว, MOSFET
Mfr	onsemi
ชุด	-
บรรจุภัณฑ์	เทปและม้วน (TR)
สถานะผลิตภัณฑ์	เลิกผลิต
ประเภท FET	P-ช่องสัญญาณ
เทคโนโลยี	MOSFET (ออกไซด์โลหะ)
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss)	20 V
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C	1.5A (Ta)
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด)	1.8V, 4.5V
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs	241mOhm @ 750mA, 4.5V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id	1.4V @ 1mA
เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs	1.7 nC @ 4.5 V
Vgs (สูงสุด)	±10V
ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds	120 pF @ 10 V
คุณสมบัติของ FET	-
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด)	800mW (Ta)
อุณหภูมิในการทำงาน	150°C (TJ)
เกรด	-
คุณสมบัติ	-
ประเภทการติดตั้ง	ติดบนพื้นผิว
บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์	3-MCPH
บรรจุภัณฑ์ / เคส	SC-70, SOT-323
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน	MCH3376