MGSF1N02LT1 onsemi | FET เดี่ยว, MOSFET

ผลิตภัณฑ์
กลับ
ผู้ผลิต
กลับ
แหล่งข้อมูล
กลับ
กลับ
กลับ
- โปรแกรมและการบริการ
- ระบบอัตโนมัติและการควบคุม
- บริการออกแบบและบูรณาการ
- โซลูชั่นดิจิทัล
- โซลูชัน IoT
- การติดตามสินค้า
- บริการผลิตภัณฑ์
กลับ
- การซื้อ
- เครื่องมือ
- My Lists
- ใบเสนอราคา
- ผลิตภัณฑ์
- ผู้ผลิต
ขอใบเสนอราคา

MGSF1N02LT1
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	MGSF1N02LT1OSTR-ND - เทปและม้วน (TR)
ผู้ผลิต	onsemi
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	MGSF1N02LT1
คำอธิบาย	MOSFET N-CH 20V 750MA SOT23-3
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	N-ช่องสัญญาณ 20 V 750mA (Ta) 400mW (Ta) ติดบนพื้นผิว SOT-23-3 (TO-236)
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล
โมเดล EDA/CAD	MGSF1N02LT1 รุ่น

ประเภท	คำอธิบาย	เลือกทั้งหมด
หมวดหมู่	ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET เดี่ยว, MOSFET
Mfr	onsemi
ชุด	-
บรรจุภัณฑ์	เทปและม้วน (TR)
สถานะผลิตภัณฑ์	เลิกผลิต
ประเภท FET	N-ช่องสัญญาณ
เทคโนโลยี	MOSFET (ออกไซด์โลหะ)
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss)	20 V
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C	750mA (Ta)
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด)	4.5V, 10V
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs	90mOhm @ 1.2A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id	2.4V @ 250µA
Vgs (สูงสุด)	±20V
ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds	125 pF @ 5 V
คุณสมบัติของ FET	-
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด)	400mW (Ta)
อุณหภูมิในการทำงาน	-55°C ~ 150°C (TJ)
เกรด	-
คุณสมบัติ	-
ประเภทการติดตั้ง	ติดบนพื้นผิว
บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์	SOT-23-3 (TO-236)
บรรจุภัณฑ์ / เคส	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน	MGSF1

MGSF1N02LT1

ติดตามเรา

ข้อมูล

การติดต่อและการสนับสนุน