Name: MMUN2215LT1G
Brand: onsemi
SKU: MMUN2215LT1GOSTR-ND
Price: 4.85 THB
Availability: InStock

ทรานซิสเตอร์แบบ pre-biased bipolar (bjt) NPN - พรีไบแอส 50 V 100 mA 400 mW ติดบนพื้นผิว SOT-23-3 (TO-236)

ภาพที่ปรากฏเป็นเพียงภาพตัวอย่างเท่านั้น ควรขอข้อมูลจำเพาะที่แน่นอนจากเอกสารข้อมูลผลิตภัณฑ์

MMUN2215LT1G
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	MMUN2215LT1GOSTR-ND - เทปและม้วน (TR) MMUN2215LT1GOSCT-ND - เทปตัดขาย (CT) MMUN2215LT1GOSDKR-ND - Digi-Reel®
ผู้ผลิต	onsemi
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	MMUN2215LT1G
คำอธิบาย	TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
ระยะเวลาจัดส่งมาตรฐานของผู้ผลิต	44 สัปดาห์
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	ทรานซิสเตอร์แบบ pre-biased bipolar (bjt) NPN - พรีไบแอส 50 V 100 mA 400 mW ติดบนพื้นผิว SOT-23-3 (TO-236)
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล
โมเดล EDA/CAD	MMUN2215LT1G รุ่น

คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

กรองผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกัน

แสดงแอตทริบิวต์ที่ว่างเปล่า

หมวดหมู่ ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ สองขั้ว (BJT) ทรานซิสเตอร์แบบไบโพลาร์แบบเดี่ยวและแบบไบโพลาร์	เกนกระแสไฟฟ้า DC (hFE) (ต่ำสุด) @ Ic, Vce 160 @ 5mA, 10V
ผู้ผลิต onsemi	Vce อิ่มตัว (สูงสุด) @ Ib, Ic 250mV @ 1mA, 10mA
บรรจุภัณฑ์ เทปและม้วน (TR) เทปตัดขาย (CT) Digi-Reel®	กระแสไฟฟ้า - คอลเลคเตอร์คัตออฟ (สูงสุด) 500nA
สถานะผลิตภัณฑ์ ทำงาน	พลังงาน - สูงสุด 400 mW
ประเภททรานซิสเตอร์ NPN - พรีไบแอส	ประเภทการติดตั้ง ติดบนพื้นผิว
กระแสไฟฟ้า - คอลเลคเตอร์ (Ic) (สูงสุด) 100 mA	บรรจุภัณฑ์ / เคส TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
แรงดันไฟฟ้า - พังทลายระหว่างอิมิเตอร์และคอลเลคเตอร์ (สูงสุด) 50 V	บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์ SOT-23-3 (TO-236)
รวมตัวต้านทานแล้ว R1 เท่านั้น	หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน MMUN2215
ตัวต้านทาน - เบส (R1) 10 kOhms