Name: MMUN2235LT1G
Brand: onsemi
SKU: MMUN2235LT1GOSTR-ND
Price: 5.5 THB
Availability: InStock

ทรานซิสเตอร์แบบ pre-biased bipolar (bjt) NPN - พรีไบแอส 50 V 100 mA 246 mW ติดบนพื้นผิว SOT-23-3 (TO-236)

ภาพที่ปรากฏเป็นเพียงภาพตัวอย่างเท่านั้น ควรขอข้อมูลจำเพาะที่แน่นอนจากเอกสารข้อมูลผลิตภัณฑ์

MMUN2235LT1G
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	MMUN2235LT1GOSTR-ND - เทปและม้วน (TR) MMUN2235LT1GOSCT-ND - เทปตัดขาย (CT) MMUN2235LT1GOSDKR-ND - Digi-Reel®
ผู้ผลิต	onsemi
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	MMUN2235LT1G
คำอธิบาย	TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
ระยะเวลาจัดส่งมาตรฐานของผู้ผลิต	44 สัปดาห์
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	ทรานซิสเตอร์แบบ pre-biased bipolar (bjt) NPN - พรีไบแอส 50 V 100 mA 246 mW ติดบนพื้นผิว SOT-23-3 (TO-236)
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล
โมเดล EDA/CAD	MMUN2235LT1G รุ่น

คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

กรองผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกัน

แสดงแอตทริบิวต์ที่ว่างเปล่า

หมวดหมู่ ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ สองขั้ว (BJT) ทรานซิสเตอร์แบบไบโพลาร์แบบเดี่ยวและแบบไบโพลาร์	ตัวต้านทาน - ระหว่างอิมิเตอร์และเบส (R2) 47 kOhms
ผู้ผลิต onsemi	เกนกระแสไฟฟ้า DC (hFE) (ต่ำสุด) @ Ic, Vce 80 @ 5mA, 10V
บรรจุภัณฑ์ เทปและม้วน (TR) เทปตัดขาย (CT) Digi-Reel®	Vce อิ่มตัว (สูงสุด) @ Ib, Ic 250mV @ 1mA, 10mA
สถานะผลิตภัณฑ์ ทำงาน	กระแสไฟฟ้า - คอลเลคเตอร์คัตออฟ (สูงสุด) 500nA
ประเภททรานซิสเตอร์ NPN - พรีไบแอส	พลังงาน - สูงสุด 246 mW
กระแสไฟฟ้า - คอลเลคเตอร์ (Ic) (สูงสุด) 100 mA	ประเภทการติดตั้ง ติดบนพื้นผิว
แรงดันไฟฟ้า - พังทลายระหว่างอิมิเตอร์และคอลเลคเตอร์ (สูงสุด) 50 V	บรรจุภัณฑ์ / เคส TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
รวมตัวต้านทานแล้ว R1 และ R2	บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์ SOT-23-3 (TO-236)
ตัวต้านทาน - เบส (R1) 2.2 kOhms	หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน MMUN2235