Name: MUN2216T1G
Brand: onsemi
SKU: MUN2216T1GOSTR-ND
Price: 6.47 THB
Availability: InStock

ทรานซิสเตอร์แบบ pre-biased bipolar (bjt) NPN - พรีไบแอส 50 V 100 mA 338 mW ติดบนพื้นผิว SC-59

ภาพที่ปรากฏเป็นเพียงภาพตัวอย่างเท่านั้น ควรขอข้อมูลจำเพาะที่แน่นอนจากเอกสารข้อมูลผลิตภัณฑ์

MUN2216T1G
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	MUN2216T1GOSTR-ND - เทปและม้วน (TR) MUN2216T1GOSCT-ND - เทปตัดขาย (CT) MUN2216T1GOSDKR-ND - Digi-Reel®
ผู้ผลิต	onsemi
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	MUN2216T1G
คำอธิบาย	TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
ระยะเวลาจัดส่งมาตรฐานของผู้ผลิต	30 สัปดาห์
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	ทรานซิสเตอร์แบบ pre-biased bipolar (bjt) NPN - พรีไบแอส 50 V 100 mA 338 mW ติดบนพื้นผิว SC-59
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล
โมเดล EDA/CAD	MUN2216T1G รุ่น

คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ประเภท	คำอธิบาย	เลือกทั้งหมด
หมวดหมู่	ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ สองขั้ว (BJT) ทรานซิสเตอร์แบบไบโพลาร์แบบเดี่ยวและแบบไบโพลาร์
ผู้ผลิต	onsemi
ชุด	-
บรรจุภัณฑ์	เทปและม้วน (TR) เทปตัดขาย (CT) Digi-Reel®
สถานะผลิตภัณฑ์	ทำงาน
ประเภททรานซิสเตอร์	NPN - พรีไบแอส
กระแสไฟฟ้า - คอลเลคเตอร์ (Ic) (สูงสุด)	100 mA
แรงดันไฟฟ้า - พังทลายระหว่างอิมิเตอร์และคอลเลคเตอร์ (สูงสุด)	50 V
รวมตัวต้านทานแล้ว	R1 เท่านั้น
ตัวต้านทาน - เบส (R1)	4.7 kOhms
เกนกระแสไฟฟ้า DC (hFE) (ต่ำสุด) @ Ic, Vce	160 @ 5mA, 10V
Vce อิ่มตัว (สูงสุด) @ Ib, Ic	250mV @ 1mA, 10mA
กระแสไฟฟ้า - คอลเลคเตอร์คัตออฟ (สูงสุด)	500nA
พลังงาน - สูงสุด	338 mW
เกรด	-
คุณสมบัติ	-
ประเภทการติดตั้ง	ติดบนพื้นผิว
บรรจุภัณฑ์ / เคส	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์	SC-59
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน	MUN2216