Name: MUN5233DW1T1G
Brand: onsemi
SKU: MUN5233DW1T1GOSTR-ND
Price: 8.79 THB
Availability: InStock

ทรานซิสเตอร์แบบ pre-biased bipolar (bjt) 2 NPN - พรีไบแอส (คู่) 50V 100mA 250mW ติดบนพื้นผิว SC-88/SC70-6/SOT-363

ภาพที่ปรากฏเป็นเพียงภาพตัวอย่างเท่านั้น ควรขอข้อมูลจำเพาะที่แน่นอนจากเอกสารข้อมูลผลิตภัณฑ์

MUN5233DW1T1G
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	MUN5233DW1T1GOSTR-ND - เทปและม้วน (TR) MUN5233DW1T1GOSCT-ND - เทปตัดขาย (CT) MUN5233DW1T1GOSDKR-ND - Digi-Reel®
ผู้ผลิต	onsemi
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	MUN5233DW1T1G
คำอธิบาย	TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-363
ระยะเวลาจัดส่งมาตรฐานของผู้ผลิต	51 สัปดาห์
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	ทรานซิสเตอร์แบบ pre-biased bipolar (bjt) 2 NPN - พรีไบแอส (คู่) 50V 100mA 250mW ติดบนพื้นผิว SC-88/SC70-6/SOT-363
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล

คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

กรองผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกัน

แสดงแอตทริบิวต์ที่ว่างเปล่า

หมวดหมู่ ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ สองขั้ว (BJT) อาร์เรย์ทรานซิสเตอร์ไบโพลาร์, แบบมีออฟเซตไบแอสล่วงหน้า	เกนกระแสไฟฟ้า DC (hFE) (ต่ำสุด) @ Ic, Vce 80 @ 5mA, 10V
ผู้ผลิต onsemi	Vce อิ่มตัว (สูงสุด) @ Ib, Ic 250mV @ 1mA, 10mA
บรรจุภัณฑ์ เทปและม้วน (TR) เทปตัดขาย (CT) Digi-Reel®	กระแสไฟฟ้า - คอลเลคเตอร์คัตออฟ (สูงสุด) 500nA
สถานะผลิตภัณฑ์ ทำงาน	พลังงาน - สูงสุด 250mW
ประเภททรานซิสเตอร์ 2 NPN - พรีไบแอส (คู่)	ประเภทการติดตั้ง ติดบนพื้นผิว
กระแสไฟฟ้า - คอลเลคเตอร์ (Ic) (สูงสุด) 100mA	บรรจุภัณฑ์ / เคส 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
แรงดันไฟฟ้า - พังทลายระหว่างอิมิเตอร์และคอลเลคเตอร์ (สูงสุด) 50V	บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์ SC-88/SC70-6/SOT-363
ตัวต้านทาน - เบส (R1) 4.7kOhm	หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน MUN5233
ตัวต้านทาน - ระหว่างอิมิเตอร์และเบส (R2) 47kOhm

รายงานข้อมูลสินค้าผิดพลาด

เอกสารและสื่อ

การจำแนกประเภทสิ่งแวดล้อมและการส่งออก

แหล่งข้อมูลเพิ่มเติม

ผลิตภัณฑ์ทดแทน (3)

หมายเลขผลิตภัณฑ์	ผู้ผลิต	จำนวนที่มีอยู่	หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	ราคาต่อหน่วย	ประเภทสินค้าทดแทน
PUMB13,115	Nexperia USA Inc.	3,357	1727-1734-1-ND	฿6.51000	Direct
PUMH13,115	Nexperia USA Inc.	3,000	1727-1739-1-ND	฿6.51000	Direct
PUMH14,115	Nexperia USA Inc.	2,873	1727-PUMH14115CT-ND	฿8.14000	Similar