Name: NSBA114YDXV6T1G
Brand: onsemi
SKU: 488-NSBA114YDXV6T1GTR-ND
Price: 12.29 THB
Availability: InStock

ทรานซิสเตอร์แบบ pre-biased bipolar (bjt) 2 PNP - พรีไบแอส (คู่) 50V 100mA 500mW ติดบนพื้นผิว SOT-563

ภาพที่ปรากฏเป็นเพียงภาพตัวอย่างเท่านั้น ควรขอข้อมูลจำเพาะที่แน่นอนจากเอกสารข้อมูลผลิตภัณฑ์

NSBA114YDXV6T1G
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	488-NSBA114YDXV6T1GTR-ND - เทปและม้วน (TR) 488-NSBA114YDXV6T1GCT-ND - เทปตัดขาย (CT) 488-NSBA114YDXV6T1GDKR-ND - Digi-Reel®
ผู้ผลิต	onsemi
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	NSBA114YDXV6T1G
คำอธิบาย	TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT-563
ระยะเวลาจัดส่งมาตรฐานของผู้ผลิต	52 สัปดาห์
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	ทรานซิสเตอร์แบบ pre-biased bipolar (bjt) 2 PNP - พรีไบแอส (คู่) 50V 100mA 500mW ติดบนพื้นผิว SOT-563
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล

คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

กรองผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกัน

แสดงแอตทริบิวต์ที่ว่างเปล่า

หมวดหมู่ ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ สองขั้ว (BJT) อาร์เรย์ทรานซิสเตอร์ไบโพลาร์, แบบมีออฟเซตไบแอสล่วงหน้า	เกนกระแสไฟฟ้า DC (hFE) (ต่ำสุด) @ Ic, Vce 80 @ 5mA, 10V
ผู้ผลิต onsemi	Vce อิ่มตัว (สูงสุด) @ Ib, Ic 250mV @ 300µA, 10mA
บรรจุภัณฑ์ เทปและม้วน (TR) เทปตัดขาย (CT) Digi-Reel®	กระแสไฟฟ้า - คอลเลคเตอร์คัตออฟ (สูงสุด) 500nA
สถานะผลิตภัณฑ์ ทำงาน	พลังงาน - สูงสุด 500mW
ประเภททรานซิสเตอร์ 2 PNP - พรีไบแอส (คู่)	ประเภทการติดตั้ง ติดบนพื้นผิว
กระแสไฟฟ้า - คอลเลคเตอร์ (Ic) (สูงสุด) 100mA	บรรจุภัณฑ์ / เคส SOT-563, SOT-666
แรงดันไฟฟ้า - พังทลายระหว่างอิมิเตอร์และคอลเลคเตอร์ (สูงสุด) 50V	บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์ SOT-563
ตัวต้านทาน - เบส (R1) 10kOhm	หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน NSBA114
ตัวต้านทาน - ระหว่างอิมิเตอร์และเบส (R2) 47kOhm

รายงานข้อมูลสินค้าผิดพลาด

เอกสารและสื่อ

การจำแนกประเภทสิ่งแวดล้อมและการส่งออก

แหล่งข้อมูลเพิ่มเติม

ผลิตภัณฑ์ทดแทน (3)

หมายเลขผลิตภัณฑ์	ผู้ผลิต	จำนวนที่มีอยู่	หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	ราคาต่อหน่วย	ประเภทสินค้าทดแทน
DDA114TH-7	Diodes Incorporated	3,000	DDA114TH-7DICT-ND	฿21.66000	Direct
DDA143TH-7	Diodes Incorporated	2,850	DDA143TH-7DICT-ND	฿20.37000	Similar
PEMB11,115	Nexperia USA Inc.	4,000	1727-6498-1-ND	฿14.87000	Similar