NSBA114YF3T5G onsemi | ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน

NSBA114YF3T5G
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	NSBA114YF3T5G-ND - เทปและม้วน (TR)
ผู้ผลิต	onsemi
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	NSBA114YF3T5G
คำอธิบาย	TRANS PREBIAS PNP 50V SOT1123
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	ทรานซิสเตอร์แบบ pre-biased bipolar (bjt) PNP - พรีไบแอส 50 V 100 mA 254 mW ติดบนพื้นผิว SOT-1123
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล
โมเดล EDA/CAD	NSBA114YF3T5G รุ่น

ประเภท	คำอธิบาย	เลือกทั้งหมด
หมวดหมู่	ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ สองขั้ว (BJT) ทรานซิสเตอร์แบบไบโพลาร์แบบเดี่ยวและแบบไบโพลาร์
ผู้ผลิต	onsemi
ชุด	-
บรรจุภัณฑ์	เทปและม้วน (TR)
สถานะผลิตภัณฑ์	เลิกผลิต
ประเภททรานซิสเตอร์	PNP - พรีไบแอส
กระแสไฟฟ้า - คอลเลคเตอร์ (Ic) (สูงสุด)	100 mA
แรงดันไฟฟ้า - พังทลายระหว่างอิมิเตอร์และคอลเลคเตอร์ (สูงสุด)	50 V
รวมตัวต้านทานแล้ว	R1 และ R2
ตัวต้านทาน - เบส (R1)	10 kOhms
ตัวต้านทาน - ระหว่างอิมิเตอร์และเบส (R2)	47 kOhms
เกนกระแสไฟฟ้า DC (hFE) (ต่ำสุด) @ Ic, Vce	80 @ 5mA, 10V
Vce อิ่มตัว (สูงสุด) @ Ib, Ic	250mV @ 300µA, 10mA
กระแสไฟฟ้า - คอลเลคเตอร์คัตออฟ (สูงสุด)	500nA
พลังงาน - สูงสุด	254 mW
เกรด	-
คุณสมบัติ	-
ประเภทการติดตั้ง	ติดบนพื้นผิว
บรรจุภัณฑ์ / เคส	SOT-1123
บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์	SOT-1123
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน	NSBA114