Name: NSS20601CF8T1G
Brand: onsemi
SKU: NSS20601CF8T1GOSTR-ND
Price: 56.25 THB
Availability: InStock

ทรานซิสเตอร์แบบไบโพลาร์ (bjt) NPN 20 V 6 A 140MHz 830 mW ติดบนพื้นผิว ChipFET™

ภาพที่ปรากฏเป็นเพียงภาพตัวอย่างเท่านั้น ควรขอข้อมูลจำเพาะที่แน่นอนจากเอกสารข้อมูลผลิตภัณฑ์

NSS20601CF8T1G
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	NSS20601CF8T1GOSTR-ND - เทปและม้วน (TR) NSS20601CF8T1GOSCT-ND - เทปตัดขาย (CT) NSS20601CF8T1GOSDKR-ND - Digi-Reel®
ผู้ผลิต	onsemi
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	NSS20601CF8T1G
คำอธิบาย	TRANS NPN 20V 6A CHIPFET
ระยะเวลาจัดส่งมาตรฐานของผู้ผลิต	37 สัปดาห์
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	ทรานซิสเตอร์แบบไบโพลาร์ (bjt) NPN 20 V 6 A 140MHz 830 mW ติดบนพื้นผิว ChipFET™
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล
โมเดล EDA/CAD	NSS20601CF8T1G รุ่น

คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

กรองผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกัน

แสดงแอตทริบิวต์ที่ว่างเปล่า

หมวดหมู่ ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ สองขั้ว (BJT) ทรานซิสเตอร์สองขั้วเดี่ยว	เกนกระแสไฟฟ้า DC (hFE) (ต่ำสุด) @ Ic, Vce 200 @ 1A, 2V
Mfr onsemi	พลังงาน - สูงสุด 830 mW
บรรจุภัณฑ์ เทปและม้วน (TR) เทปตัดขาย (CT) Digi-Reel®	ความถี่ - การเปลี่ยน 140MHz
สถานะผลิตภัณฑ์ ทำงาน	อุณหภูมิในการทำงาน -55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภททรานซิสเตอร์ NPN	ประเภทการติดตั้ง ติดบนพื้นผิว
กระแสไฟฟ้า - คอลเลคเตอร์ (Ic) (สูงสุด) 6 A	บรรจุภัณฑ์ / เคส 8-SMD, ตัวนำแบน
แรงดันไฟฟ้า - พังทลายระหว่างอิมิเตอร์และคอลเลคเตอร์ (สูงสุด) 20 V	บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์ ChipFET™
Vce อิ่มตัว (สูงสุด) @ Ib, Ic 130mV @ 400mA, 4A	หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน NSS20601
กระแสไฟฟ้า - คอลเลคเตอร์คัตออฟ (สูงสุด) 100nA (ICBO)