Name: NSS40300DDR2G
Brand: onsemi
SKU: NSS40300DDR2GOSTR-ND
Price: 43 THB
Availability: InStock

ผลิตภัณฑ์
กลับ
ผู้ผลิต
กลับ
แหล่งข้อมูล
กลับ
กลับ
กลับ
- โปรแกรมและการบริการ
- ระบบอัตโนมัติและการควบคุม
- บริการออกแบบและบูรณาการ
- โซลูชั่นดิจิทัล
- โซลูชัน IoT
- การติดตามสินค้า
- บริการผลิตภัณฑ์
กลับ
- การซื้อ
- เครื่องมือ
- myLists
- ใบเสนอราคา
- ผลิตภัณฑ์
- ผู้ผลิต
การติดตามสินค้า

TechForum

Webinars

Scheme It
ขอใบเสนอราคา

NSS40300DDR2G
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	NSS40300DDR2GOSTR-ND - เทปและม้วน (TR) NSS40300DDR2GOSCT-ND - เทปตัดขาย (CT) NSS40300DDR2GOSDKR-ND - Digi-Reel®
ผู้ผลิต	onsemi
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	NSS40300DDR2G
คำอธิบาย	TRANS 2PNP DUAL 40V 3A 8-SOIC
ระยะเวลาจัดส่งมาตรฐานของผู้ผลิต	34 สัปดาห์
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	อะเรย์ทรานซิสเตอร์แบบไบโพลาร์ (bjt) 2 PNP (Dual) 40V 3A 100MHz 653mW ติดบนพื้นผิว 8-SOIC
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล
โมเดล EDA/CAD	NSS40300DDR2G รุ่น

ประเภท	คำอธิบาย	เลือกทั้งหมด
หมวดหมู่	ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ สองขั้ว (BJT) อาร์เรย์ทรานซิสเตอร์สองขั้ว
ผู้ผลิต	onsemi
ชุด	-
บรรจุภัณฑ์	เทปและม้วน (TR) เทปตัดขาย (CT) Digi-Reel®
สถานะผลิตภัณฑ์	ทำงาน
ประเภททรานซิสเตอร์	2 PNP (Dual)
กระแสไฟฟ้า - คอลเลคเตอร์ (Ic) (สูงสุด)	3A
แรงดันไฟฟ้า - พังทลายระหว่างอิมิเตอร์และคอลเลคเตอร์ (สูงสุด)	40V
Vce อิ่มตัว (สูงสุด) @ Ib, Ic	170mV @ 200mA, 2A
กระแสไฟฟ้า - คอลเลคเตอร์คัตออฟ (สูงสุด)	100nA (ICBO)
เกนกระแสไฟฟ้า DC (hFE) (ต่ำสุด) @ Ic, Vce	180 @ 1A, 2V
พลังงาน - สูงสุด	653mW
ความถี่ - การเปลี่ยน	100MHz
อุณหภูมิในการทำงาน	-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง	ติดบนพื้นผิว
บรรจุภัณฑ์ / เคส	8-SOIC (0.154", ความกว้าง 3.90mm)
บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์	8-SOIC
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน	NSS40300

จำนวน	ราคาต่อหน่วย	ต่อราคา
1	฿43.00000	฿43.00
10	฿27.09300	฿270.93
100	฿17.92050	฿1,792.05
500	฿13.98014	฿6,990.07
1,000	฿12.71086	฿12,710.86

จำนวน	ราคาต่อหน่วย	ต่อราคา
2,500	฿11.33710	฿28,342.75
5,000	฿10.48805	฿52,440.25
7,500	฿10.05549	฿75,416.18
12,500	฿9.66667	฿120,833.38

NSS40300DDR2G

ข้อมูล

ช่วยเหลือ

ติดต่อเรา

ติดตามเรา